崔 凯，李 浩，谢 迪，张兆华，齐昆仑，孙毅鹏

（南京电子技术研究所，江苏 南京 210039）

引 言

微系统集成技术是采用异构、异质集成方法在微纳尺度上实现更高集成度、更优性能、更高工作频率的主要手段。射频微系统集成技术作为系统微型化趋势下的先进集成封装技术，已经成为推动电子技术创新、引领装备发展的重大基础技术，在航天、航空、船舶、兵器、信息技术、生物、医疗、工业控制、消费电子等领域具有很大的应用潜力[1-2]。

在诸多微系统集成工艺技术中，硅基无源集成器件（Integrated Passive Device,IPD）技术具有体积小、一致性好、集成度与可靠性高等优势，成为系统级封装无源器件集成的优选方案之一[3]。微系统三维集成高Q值无源器件集成应用方面的研究，受到硅基系统高频信号传输损耗和串扰等问题的限制，主流仍局限于Ku频段以下，Q值的进一步提升有赖于先进集成材料和工艺制程。在过去的十几年中，先进微纳集成材料和薄膜制程工艺获得了巨大提升，因此集成电容、电感、电阻等无源器件具有了更好的性能、更大的能量密度以及更高的可靠性和集成度[4]。

采用IPD技术的功率网络，通过线路集中器（Line Concentrator, LC）阻抗变换代替部分传统的电路传输线，不仅使功率分配器的尺寸大大减小，还使其具有高性能、高可靠等特点[5-6]。本文基于微系统IPD技术设计了毫米波Wilkinson带状线功率分配/合成器，突破了硅基薄膜多层高密度布线、集成薄膜电阻以及片上功分器制作等关键工艺技术，为射频微系统无源网络一体化集成提供了有效的解决方案。……