王方标，余文明，王丽娟

（牡丹江师范学院物理系，黑龙江 牡丹江 157011；黑龙江省新型碳基功能与超硬材料重点实验室，黑龙江 牡丹江 157011）

1 引言

硒化铋是热电材料，也是半导体材料的一种。作为半导体的一种，硒化铋是V2VI3中的一种，近些年来，经过科学家们的苦心研究，发现这族的半导体材料有很多特性[1]。比如光电装置方面，还有摄像机的一些原件和光谱等。硒化铋是具有层次感的层状化合物，还是三方相的晶系并具有窄带隙。硒化铋热电材料目前是被广泛应用在热电应用的半导体，其热电性能非常好，但是就目前的研究来说，对硒化铋块体的研究是有一定瓶颈的，因为块状的硒化铋的热电性能不是太好，因此在实际应用中不太能满足人们对于硒化铋的需求[2-3]。后来研究人员研究出了纳米的硒化铋结构，这个方向是近年来研究硒化铋的主要内容，目前合成硒化铋纳米结构的方法非常多，比如化学方面有气相沉积法，物理方面有气相沉积法等，其结构多样[4-5]。而没有高温高压法合成硒化铋块体材料的相关报道，因此，本文以高纯铋粉和硒粉为原料，利用高温高压法进行硒化铋块体材料的合成研究，为实现硒化铋的多元掺杂和制备出高ZT值的热电材料提供研究价值。

2 实验过程

按Bi2Se3的化学计量数和所需要的制备的量来计算称量各自的量。本论文实验需制备硒化铋样品20 g，因此用四位天平精确称量铋粉12.78 g，硒粉7.22 g，将称量好的硒粉和铋粉放入玛瑙研钵中研磨30 min，使二者充分混合均匀。……