起源于额间沟的癫痫发作—对额叶癫痫症状学分组体系的补充
2021-07-15董晓立李恺煇郭强费凌霞胡湘蜀李花郭静赵黎明金洋张佩琪
董晓立,李恺煇,郭强,费凌霞,胡湘蜀,李花,郭静,赵黎明,金洋,张佩琪
额叶癫痫约占大脑皮层局灶性癫痫的30%,发病率仅次于颞叶癫痫[1]。额叶癫痫的症状表现多种多样,致痫网络复杂多变;因此,额叶癫痫致痫灶术前定位很困难,而起源于前额叶的癫痫发作尤其如此[2-3]。额间沟(intermediate Imfs,Imfs)位于额中回前部,向前延伸至额极;额间沟局灶性皮质发育不良(focal cortical dysplasia,FCD)所致癫痫临床较为少见。为此,本研究对广东三九脑科医院2016年5月—2019年9月收治的5例额间沟FCD致癫痫患者的发作症状学、视频脑电图(video electroencephalogram,V-EEG)、立体定向脑电图(stereotactic electroencephalogram,SEEG)、术后随访等资料进行回顾分析,以提高对额间沟起源癫痫的认识水平,并对Chauvel额叶癫痫症状学分组体系进行补充。
1 资料与方法
1.1 一般资料 本组患者中男4例,女1例;起病年龄2~7岁,平均起病年龄4.4岁;病程14~27年,中位数为14年;3例患者的致痫灶为右侧额间沟,2例患者为左侧额间沟;均已行手术治疗(表1)。由3名及以上多年从事癫痫专科诊治的癫痫中心主任、副主任或主治医师根据患者的病史、临床表现、V-EEG、症状学在 Ⅰ 期评估时做出定位诊断,致痫灶明确的患者行病灶或致痫灶切除术;但根据 Ⅰ 期评估致痫灶难以定位的患者,进一步行一侧或双侧半球电极植入术,经SEEG证实致痫灶为左侧或右侧额间沟后,行射频热凝毁损术或致痫灶切除术。

表1 本组5例患者的临床资料
1.2 方法
1.2.1 Ⅰ期评估 详细询问并记录患者的临床资料。5例患者均行V-EEG或长程视频脑电图监测(清晰记录患者惯常发作3次以上)、头部MRI薄层扫描、正电子发射断层显像术(positron emission tomography,PET-CT)检查;……
