突破芯片制造瓶颈需极大耐心(点评)
2021-06-25陈经
环球时报 2021-06-25
陈经
短缺、断供,中美各自投资兴建芯片厂,最近一段时间,围绕芯片业的新闻频出。有外媒近日报道称,中国正斥巨资用于研发第三代半导体,应对美国制裁导致的半导体断供危机。
从产业意义上来说,芯片是中国科技最大的短板,是美国针对中国“卡脖子”最多的领域,也是中国发展自主产业链的必然方向。第三代半导体芯片研发目前刚刚起步,中国与世界先进水平差距不大,的确存在追赶或者超越的可能。
第三代半导体芯片并非指当前更为高级的芯片,而是以氮化镓和碳化硅等新材料为基础发展半导体功放芯片,特性是耐高温、高压、大电流,用于新能源汽车等特定领域。人们更熟悉的逻辑运算与存储芯片,还是以硅片晶圆为材料,硅纯度越高越好。
基于硅基的芯片发展历史很长,围绕它的一系列指标以摩尔定律指数增长。指甲盖大小的芯片里有上百亿个晶体管,功能强大到能让手机流畅运转,让小小的U盘里可以有几百G的存储空间。硅基芯片制造已深入到10纳米的原子级别,难度极大,设计、设备、生产技术、投资要求极高。硅基芯片是国产自主芯片发展的主战场,涉及利益最大,面临的挑战也最为艰巨。
实际上,以砷化镓和锑化铟等材料为基础的第二代半导体,在光纤和移动通信领域作用很大,中国发展得也不错,但依然无法解决芯片主战场上的问题。各代际之间是并列关系,不能形成替代。在可以预见的将来,硅基都将是芯片发展的主要领域。……
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