朱 晖

金属氧化物薄膜晶体管（TFT）具有较好的光电特性，在新型显示器件中应用前景广泛。本论文重点针对金属氧化物TFT器件的IWZO膜层的成膜均一性进行了研究。从磁场、成膜功率、O2分压等工艺参数角度出发，研究了IWZO膜层均一性与成膜工艺参数的关系，并探讨了改善膜层均一性的具体工艺参数和方法。

随着新型显示技术的发展，人们对信息交互界面的品质要求越来越高。平板显示技术（Flat Panel Display，FPD）中的TFT器件引起极大关注。用于TFT器件的半导体薄膜材料性能优劣，直接决定了平板显示器的显示效果。高分辨率、高刷新频率和大尺寸的产品发展方向，必须采用有源驱动方式，并使用高载流子迁移率的TFT作为开关器件。金属氧化物TFT的低成本在高规格显示器中有明显的优势。金属氧化物TFT（Metal-Oxide Thin-Film Transistor，MOTFT）被认为是一种可广泛使用于新型显示器件的场效应晶体管。同时AMOLED显示技术，需要更高的载流子迁移率的TFT器件作为AMOLED显示驱动单元。ZnO是最初开始发展的一种氧化物半导体，但由于ZnO本身特点，导致其载流子浓度较高，同时其TFT器件的阈值电压难于控制，载流子迁移率不高。近年来高载流子迁移率的金属氧化物TFT的发展则相当迅速。很多科研工作者均开始致力于金属氧化物TFT的载流子迁移率的提高和可靠性的提升研究，业界知名面板商也陆续推出基于氧化物半导体TFT背板技术的新型显示商用产品。对于AMOLED驱动的金属氧化TFT器件，当前研究主要集中于高载流子迁移率的新型半导体材料和工艺研究。……