解 晗，张春胜，申 强

( 中国电子科技集团公司第五十五研究所， 江苏 南京210016)

具备偏压功能的磁控溅射设备可以实现背孔互连工艺，该工艺是实现芯片各金属层、键合晶圆间互连的一种技术。通过深孔金属填充实现垂直方向上的电子导通，能有效减小芯片尺寸，降低芯片功耗。利用物理气相沉积法淀积金属薄膜是背孔镀膜工艺中的关键步骤。后续电镀工艺会对薄膜粘附层、种子层的覆盖性和均匀性提出一定要求，否则薄膜的缺陷会导致金属层脱落和鼓泡现象，降低了芯片的电学性能和可靠性。故淀积薄膜的覆盖性和均匀性等成膜指标是影响最终填充效果的重要因素。

磁控溅射台采用磁控溅射技术进行金属及化合物镀膜，同时具备偏压溅射能力，可以实现深孔溅射。溅射淀积是一种物理气相沉积工艺，反应腔体抽真空至1×10-6Pa 左右，然后充入惰性气体氩气，形成一定稳定气压的氛围。然后在靶材端施加一定直流或射频激励，使氩气原子电离，氩离子在电场作用下向靶材加速运动，轰击靶材原子，被轰击出的靶材原子或分子，最终有一部分附着在晶圆上。同时电离出的电子也在电场中获得动能，在运动过程中撞击氩气原子形成二次电离，形成的二次电子继续参与电离，最终形成自持等离子体放电，实现持续地磁控溅射镀膜过程。

1 偏压及二次溅射能力提升

在磁控溅射模块的基础上、在晶圆端形成偏置电压引导溅射……