高 丹

( 中国电子科技集团公司第四十六研究所， 天津300220)

MEMS（微机电系统）是随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展而发展起来的。其特点并非单纯的微小化，而是指可以批量制作，集微型构件、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路等于一体的微系统。而在集成电路技术（IC）基础上发展起来的硅MEMS加工技术因为具有批量生产、成本低、易与电路集成制作等优点，目前已成为MEMS 加工技术的主流。硅基MEMS 加工技术主要有体硅加工技术和表面牺牲层技术两条发展主线。体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合，追求大质量块和低应力以及三维加工，硅体的缺陷对其影响较大；表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展，硅材料的表面缺陷对其有一定的影响，但硅体缺陷对其影响不大[1，2]。目前，对于硅表面缺陷的检验方法已经成熟，但硅体缺陷的检验尚无方法可寻。如果前期未能排除有体缺陷的硅材料，会导致MEMS器件在制作工艺后发生失效。为了避免在MEMS器件制作工艺后出现失效，需要建立一种提前判定硅片是否可用的检测方法。

1 MEMS 工艺

1.1 表面牺牲层工艺

表面牺牲层工艺是典型的薄膜工艺，其技术特点与集成电路工艺兼容，因此表面牺牲层工艺从其诞生起发展方向就是集成化。由于机械结构的复杂性，仅采用单层结构往往不能制备所需构件，因此表面牺牲层工艺多层化发展的另一特点也是必然趋势。……