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正电子散射Rb、Cs电子偶素形成截面理论计算

2021-03-31王远成王雅冰

关键词:方法模型

王远成,李 波,王雅冰

(沈阳师范大学 物理科学与技术学院,沈阳 110034)

原子碰撞问题一直以来都受到科研工作者的密切关注,它是了解粒子内部结构、运动规律、研究粒子间相互作用的重要手段,与天体物理、等离子体物理、生物学和医学等多方面都有着密切关系[1-4]。

目前,关于正电子散射铷原子、铯原子正负电子偶素形成的研究仍然较为有限。在实验方面,1993年Parikh等[5]测量了入射能量范围在1~102 eV的正电子散射铷原子的正负电子偶素形成截面。1996年Surdutovich等[6]测量了入射能量范围在1~17 eV的正电子散射铷原子的正负电子偶素形成截面。目前还没有任何关于铯原子的实验数据。在理论方面,1980年Guha and Mandal等[7]利用畸变波近似和第一玻恩近似方法分别计算了入射能量范围在0.5~20 eV的正电子与铷原子、铯原子碰撞的Ps(n=1)形成截面。1996年Kernoghan等[8]运用耦合态近似方法分别计算了入射能量范围在0.5~64 eV的正电子与铷原子、铯原子碰撞的Ps(n=1)截面。2007年Zhang等[9]利用动量空间耦合通道光学势方法,计算了入射能量范围在20~100 eV的正电子与铷原子碰撞的正负电子偶素形成截面。2012年Chin等[10]利用耦合通道光学势方法(CCOM)计算了正电子与铷原子碰撞的正负电子偶素形成截面。

本文采用模型势来描述靶原子的体系,在此基础上,计算靶原子基态能量。运用光学势方法对正电子与铷原子、铯原子碰撞的正负电子偶素形成问题进行研究,研究结果将给出入射能量范围在2~30 eV的正电子与铷原子、铯原子碰撞产生的Ps(n=1)形成截面。文章采用原子单位。……

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