基于永磁体磁场的数值计算与仿真分析研究
2021-03-31兰州交通大学土木工程学院杨禄权孙子阳周志奇
河北农机 2021年3期
兰州交通大学土木工程学院 杨禄权 孙子阳 周志奇
引言
随着新的永磁材料的应用领域不断扩大,人们对永磁体磁场的探讨更加关注。目前,对永磁材料磁场分布的研究方法有理论研究和实验研究。苟晓凡等人[1]根据分子环流模型和毕奥-萨伐尔定理,对仅在一个方向均匀、完全充磁的矩形永磁体,导出了一块及多块磁体按极性相反并列放置时的磁场解析表达式。李鑫等人[2]根据等效电流模型得出了永磁体位于坐标原点时的磁场分布。然而由理论研究方法所求得的结果往往缺少试验数据的验证,因此结果的正确性难以得到验证。宋浩等人[3]运用实验和COMSOL(“静磁场,无电流”的应用模式)模拟给出了相对放置的永磁条、具有磁回路结构的磁轭磁极、环形磁体的磁场分布。马俊等人[4]运用实验方法研究了不同辅助永磁体厚度的磁场分布。在理论研究中,常采用数值计算法和有限元法来计算永磁体的磁场强度,因此对于数值计算和有限元方法的研究是非常有必要的。
本文根据等效电流模型及安培分子环流定律,运用基于剩余磁通密度Br的Comsol multiphysics软件与基于面电流密度Js的Fortran程序分别研究了圆柱形永磁体与矩形永磁体的磁场分布,对比分析了永磁体剩余磁通密度Br与面电流密度Js的优越性。
1 永磁体模型的建立
1.1 Fortran计算原理
假设永磁体内部分布着密度为J的分子电流,外部分布着密度为Js的表面电流。如果磁介质整体匀称,则由同一性可知,在磁介质内的任意位置都存在着两个相邻的分子环流,由于它们拥有等大反向的电流,所以其磁场相互抵消,但截面边界处的分子电流不被抵消。……
登录APP查看全文
