赵彩霞　郭丽　张波　杨飞飞　赵科巍

【摘 要】 本文针对硼扩散下多晶黑硅的表面复合速率高光电转换效率低的问题，在多晶黑硅太阳电池片上采用了多步变温扩散工艺增加前氧化工艺方法，研究了多步硼扩散工艺下进行的方阻梯度变化情况。结果表明：多晶黑硅在背面硼扩散方阻280Ω左右的条件下，电性能最佳，方阻过高或过低均不利于电池片光电转换。

【关键词】 多晶黑硅;硼扩散;多步扩;方阻;转换效率

【中图分类号】 TD32 【文献标识码】 A 【文章编号】 2096-4102（2021）01-0100-03

1引言

目前在晶硅太阳能产业链中，由于硅片的切割技术已由原本的砂线切割改为金刚线切割，单晶硅硅基电池以其技术路线成熟效率高的特点已逐渐在市场占有率上高于多晶硅。加上经过制绒后的单晶硅片反射率通常在11%左右，而砂浆切割的多晶硅片反射率为18%左右，因此多晶电池片更不具有竞争优势。但由于黑硅有着优越的陷光作用，于是将黑硅多晶金属催化化学腐蚀法制绒工艺（Metal-catalyzed chemical etching，简称MCCE）应用到金刚线切割多晶硅片后，反射率可以降低至12%左右，并大幅降低多晶电池片的光学损失，提高多晶电池的转换效率，从而逐步缩小多晶电池与单晶电池的效率差异。另外，多晶电池片本身加工成本较低，在缩小电池片转换效率之后，给多晶黑硅电池带来了转机。在晶硅电池中影响光电转换效率的主要因素一是载流子表面复合速率;二是硅铝背接触的接触电阻。但传统铝背场以吸杂与钝化来增加少子寿命来提高光电转换效率也不满足目前的高效电池要求，如何进一步降低表面复合速率提高光电转换效率的研究显得更加重要。……