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CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能

2021-03-08陈炜东曹鸿涛梁凌燕张洪亮诸葛飞

材料科学与工程学报 2021年1期

陈炜东,骆 军,曹鸿涛,梁凌燕,张洪亮,张 莉,诸葛飞

(1.上海大学 材料科学与工程学院,上海 200072; 2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波 315201)

1 前 言

人脑包含大约1011个神经元和1014个突触[1],由突触和神经元相互连接而成的神经网络可以通过突触权重(突触之间相互连接的强度)的变化来高效处理和记忆复杂或非结构化的问题[2],因此模拟突触的功能对于人工神经网络计算[3](由多个处理单元互联而成的非线性、自适应信息处理系统来进行类人脑的计算)十分重要。忆阻器是表示磁通与电荷关系的电路器件,它具有电阻的量纲,其阻值随着流经它的电荷量而发生改变,并且能够在断开电流后保持之前的阻态[4-11]。忆阻器结构与突触相似,且具有本征非线性和集成密度高等特征,使其在突触功能的模拟与人工神经网络的构筑方面有着重大意义[12-14]。

透明电子学主要是研究基于透明导电膜和新型透明半导体膜制备半导体器件、电路和系统[15]。凭借其在触摸屏、OLED、加热器和除霜器等透明新兴消费产品与透明工业设备等领域的重要影响,透明电子学被认为是下一代光电器件与集成电路的核心技术[16-17]。透明忆阻器[18-19]的研发可使得基于忆阻器的存储器、处理器和人工神经网络芯片具备透明的功能。与普通忆阻器相比,透明忆阻器还可以进行光信号调制,以及光电协同调制,因此性能调制手段更为丰富[20]。此外,透明忆阻器芯片与其他透明部件结合,构建的产品可实现隐形功能,从而进一步拓展了透明忆阻器的应用前景。……

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