王梦琪，刘晓彤，姚成宝，物利娟

(1.哈尔滨师范大学；2.哈尔滨市呼兰第一中学校)

0 引言

在各种纳米结构的半导体金属氧化物中，ZnO由于其独特的性能[1-2]成为半导体材料领域中应用最广泛的材料之一，在催化剂[3]、锂离子电池阳极[4]、电触点[5]等领域应用范围极广.然而，由于ZnO的固有缺陷(氧空位和锌间隙)[6]、电子空穴分离率低[7]等因素，使得ZnO的诸多性能不尽人意.因此，研究人员通过不同材料如金属[8-9]、氧化物[10-11]、非金属[12-13]、二维材料[14-15]等改良ZnO的性质.其中，金属Ag耦合的ZnO(Ag/ZnO)纳米材料[16]是一个活跃的研究方向，已经得到了深入的研究.例如，Yadav S等学者于2021年，采用溶液燃烧法合成了Ag改性的ZnO纳米材料，研究发现其光吸收增强，且Ag含量为7 mol%的Ag/ZnO纳米材料在紫外光照射下对两种污染物(Cibacron Red、Triclopyr)表现出最高的活性[17]；L Ma等于2021年，采用水热生长和简单的化学还原浸渍法制备了Ag/ZnO纳米复合材料，研究发现Ag/ZnO纳米复合材料同时集成了Ag和ZnO两种材料在表面增强拉曼散射中的单独增强效应[18]； Buapoon S等学者于2021年，通过声化学沉积法在无表面活性剂溶液中成功地合成了Ag/ZnO异质结构纳米复合材料，研究发现Ag/ZnO异质结构纳米复合材料对亚甲基蓝和甲基橙溶液的光降解率高于纯ZnO[19].Ag/ZnO纳米材料在电学领域的应用也非常广泛，例如Slathia S等学者于2021年通过水热法合成Ag/ZnO纳米复合材料，研究其电性以期能取代常规的银镉材料制备元件[20]. Harrison 者K者等学者于2019年通过简易电化学沉积制备了Ag掺杂多晶ZnO，研究发现当Ag的数量受到掺杂的限制时，其……