孟 迪，张 旭

（哈尔滨师范大学 化学化工学院，黑龙江 哈尔滨150025）

近年来，世界上的大多数国家的经济和科技都得到了快速的发展，人民的生活水平也都有了大幅度的提升，但随之而来的还有环境和能源问题。为了更好地解决环境危机和能源消耗问题，利用太阳能进行光催化还原已引起人们的广泛关注[1]。迄今为止已经有许多的氧化物半导体被报道为性能优异的光催化材料，如我们所熟知的ZnO、TiO2、WO3和Fe2O3等。其中的ZnO 因为是一种对环境修复很有前景的光催化材料被人们熟知，它具有无毒无污染、生物相容性好、活性高、成本低等优势，还具有化学稳定性和热稳定性[2]，它的制备过程也很简单方便，是一种优良的环保型光催化剂。

科学家们在不断的探索与研究中发现ZnO 纳米材料除了具有一些优异的性能外，同时还存在着一些缺陷：ZnO 是一种宽禁带半导体（3.2eV），可以利用的太阳光仅包括近紫外光区域，光谱吸收范围较窄，对太阳光的利用率太低，此外它还具有较高的光生电子-空穴复合率[3]，这些不足的存在限制了ZnO的应用。针对ZnO 的这些缺陷，科学家们通过不懈的努力和实践总结了许多种改良技术及方法，包括半导体复合技术、贵重金属沉积技术、离子掺杂技术、非金属复合技术和形貌调控等各种先进手段，想更好地去提高ZnO 纳米材料的光催化性能。

本研究采用化学沉淀法制备ZnO，为了进一步提高ZnO 的光催化性能，又利用半导体复合的方法将ZnS 负载在ZnO 的表面。……