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纳米SiO2对霍山石斛生长的影响

2021-02-10王天鑫卢一泓樊洪泓

宿州学院学报 2021年12期
关键词:生长

刘 鑫,王天鑫,卢一泓,樊洪泓

安徽农业大学生命科学学院,安徽合肥,230036

目前,随着纳米材料的大量使用[1-3],纳米材料已不可避免地进入环境当中。在纳米材料的工业化生产和使用之初,便有学者认识到其可能存在的环境风险[4],并对其环境行为、生物毒性、生态毒理等开展了一系列的研究[5-6]。

纳米材料通常是指至少一维处于纳米尺度(1~100 nm)上的材料,或由它们作为基本单元构成的材料[7]。除去纳米尺寸效应外,纳米材料对植物生长的影响,主要取决于纳米材料的元素组成及植物物种的不同,同时纳米材料的物理参数,如纳米材料的粒径、比表面积、浓度、形态等,外界条件,如温度、所处的相、压力等,施用方式,如叶面喷施[8]、水培[9]、浸种[10]、琼脂培养[11]等,均对纳米材料的生物学效应产生一定影响[12]。

纳米材料通常在一定条件下宏观上促进植物的生长[13],使其叶绿素含量增加[14]、种子萌发活力升高[15]、根茎生长[16]等;偏离一定条件(纳米材料的选择、外界条件的设置、施用方式的实施等)都将不利于植物的生命活动,具体表现为整体氧化水平升高、叶片黄化[17]、种子及幼苗萌发率降低[18]等,但并没有较好的指标用于评价纳米材料对植物形态生长的影响。

目前的研究主要集中于纳米材料对粮食及蔬菜作物生长的影响[19],较少见对药用植物生长的影响。霍山石斛(Dendrobiumhuoshanense)为兰科珍稀药用植物,生长缓慢且野生资源匮乏。本研究将生产中使用较多的纳米SiO2加入培养基质中,研究其对霍山石斛形态生长、抗氧化酶活性和叶绿素含量的影响,以期为霍山石斛栽培环境及资源保护提供一定参考。……

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