姚 远，郭 朋

(洛阳晶联光电材料有限责任公司，河南 洛阳 471100)

ITO(Tin-doped-Indium Oxide)靶材属于稀有金属铟的锡掺杂氧化物半导体陶瓷，其中In2O3和SnO2的质量比一般为9∶1。由于ITO膜具有低电阻率、高可见光透过率、良好的图形加工性能等优异特性，广泛应用于平板显示(如TFT-LCD、AMOLED、Mini/Micor-LED)、光电子器件和太阳能电池板的透明电极，是现代光电显示领域不可替代的功能材料[1-2]。因此，制备高纯度、高密度、低电阻率的ITO靶材是生产高性能薄膜的关键。目前，我国在高端领域ITO靶材的核心技术不突出，产业处于技术弱势地位，研究如何提高ITO靶材品质对于我国高端靶材国产化有着重要意义[3]。

ITO靶材的制备方法通常有冷等静压成型、热等静压成型、模压成型及冲压成型等。其中模压成型生产成本低且效率较高，具有很大的市场前景。模压成型是将粒状的粉体放入成型的模具当中，然后加压使其固化成型。它可以成型尺寸较大的平面靶材，且收缩率较小，具有较好的重复性，便于实现自动化和专业化连续生产。但是模压成型生产的靶材密度较差，内部组织分布也不均匀，会影响后续靶材溅射镀膜时的产品性能。冷等静压成型是将待压的ITO粒置于高压容器内，利用液体传递压力的性质从试样的各个方向进行加压，其优点是模具与ITO粒的摩擦力较小，素胚表面各个方向受力较均匀，其密度及内部组织也较均匀。其在生产大尺寸ITO靶材时，关于ITO靶材成型工艺对其密度的影响，国内外却鲜有报道。本实验采用模压成型和冷等静压成型制备ITO素胚，研究了模压压力和冷等静压压力对素胚和ITO靶材的影响，为制备高密度、高质量靶材提供了参考依据。……