刘兆枫 刘国龙 董彦辉

（中国电子科技集团公司 第四十六研究所，天津 300220）

1 引言

随着电子信息领域的高速发展，电子元器件及通信终端等产品逐渐向高频、高速化发展，使其对高频微波介质基板材料提出了更高的要求[1]-[4]。如何对其介电性能进行准确的测试，是目前亟待解决的重要问题[5]-[7]。国际上，测试微波介质基板介电性能参数的方法通常是采用IPCTM-650 2.5.5.5[8]。但该方法限定其测试频率在X波段即8～12 GHz；国标中相似的测试方法为GB/T 12636-1990《 微波介质基片复介电常数（带状线法）》[9]，该方法限定测试频率为1～20GHz，对于20GHz以上，电子科技大学有设备可以采用该方法进行介电性能测试，但其测试结果准确性并未有相关报导。对于20GHz以上的介电性能测试还有介质谐振器法和TE01δ测试腔法，其中，介质谐振器法受测试探针直径的影响，只可对厚度在3 mm以上的样品进行测试，对于通常厚度为0.25 mm～1.52 mm的微波介质基板样品，需要叠加来进行测试，很容易引进样品间空隙带来的测试误差，同时其测试频点也受样品尺寸和介电常数的影响，一般在20GHz以上能够测试的频点只有1～3个；TE01δ法的测试腔作为高Q值测试腔，有测试20～40GHz微波介质基板的能力，但该方法在进行高频测试时，对样品的尺寸有要求，样品直径需在3.2 mm～8 mm之间，厚度在1.1 mm～2.3 mm之间。同时样品尺寸带来的误差较大，对样品加工精度要求也较高。

本文主要是研究20～40GHz微波介质基板带状线法测试介电常数、介质损耗、介电常数温度系数测试结果的准确性，并对同一种样品RT duroid 5880采用带状线法、介质谐振器法、TE01δ测试腔法进行测试，对其结果进行了比较和分析。……