冯伯翰

（广东松山职业技术学院，广东韶关 512126）

场效应管主要有两种类型：结型场效应管（简称JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（简称MOS-FET）。场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管属于负温度系数器件，随温度上升电流减小，与晶体三极管的正温度系数特性刚好相反。

0 引言

场效应管主要有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类，根据结构和工作原理不同，结型场效应管和绝缘栅型场效应管还有P沟道和N沟道结构的区分，此外绝缘栅型场效应管按工作性质区分为增强型和耗尽型。

（1）结型场效应管

结型场效应管的工作原理是“栅极与沟道间的PN结形成反偏的栅极电压控制漏极-源极间流经沟道的电流ID”。更确切地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积是由PN结反偏电压的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。如图1所示。

（2）绝缘栅型场效应管

绝缘栅场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；另一种是当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加上一定的栅极电压之后才有漏极电流的称为增强型。当栅极电压小于开启电压时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态，只有栅极电压大于开启电压时，才有导电沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压便有漏极电流产生。而且栅极电压增大时，导电沟道增大，沟道电阻减小，漏极电流增大，这是绝缘栅型场效应管的栅极电压控制漏极电流的作用[1-2]。……