认知障碍是精神分裂症(Schizophrenia，SCZ)的一个核心特征[1]，它影响着工作记忆、语言、执行功能、情节记忆、加工速度、注意力抑制和感官处理[2]，与SCZ相关的诸多症状一起导致社交功能的显著损害，无法充分融入家庭和工作场所。在精神病理学研究领域，认知障碍作为SCZ的一组症状，其在SCZ的病因学、病程及结局的重要性，备受广泛关注[3]。尽管如此，在临床实践中还没有令人满意的治疗方案[4]。最初希望第二代抗精神病药物能够有效治疗认知功能障碍，终其效果并不令人满意，而近期的一项荟萃分析显示，仅有一个中度疗效[5]。经颅磁刺激(Transcranial Magnetic Stimulation，TMS)作为非侵入性脑刺激技术，已经被提出作为认知障碍新的治疗选择[6]。

1 TMS基本构造及作用原理

TMS的主要概念依赖于法拉第电磁感应定律，其中电流通过电磁线圈施加在头皮上放置的一小块线圈，线圈内通过一个强大而迅速变化的电流，这就产生了一个不受阻碍相对无痛地通过头部组织的磁场。TMS设备由一个刺激器以及与刺激器连接的刺激线圈组成，该刺激器产生频率和强度可以改变的强电流的短暂脉冲[7]。TMS装置在短时间内提供多个脉冲，即重复经颅磁刺激(repetitive Transcranial Magnetic Stimulationr，rTMS)，在持续几秒钟的刺激脉冲序列后是序列间隔。线圈产生的磁场(1.5～2.5 T)不受阻碍地穿过头皮和颅骨，通过皮层神经元去极化，产生急剧变化的生物电流，诱导产生动作电位[8，9]。

商用刺激器产生的最大场强在2 T范围内，这些刺激器能够在头皮下1.5～2 cm的深度激活皮层神经元，每个个体对磁刺激的响应可有不同变化[10]，高频磁刺激似乎促进皮质兴奋，而低频磁刺激可以抑制运动皮质的这种兴奋性[11]。……