范江华，胡凡，彭立波，程文进，佘鹏程，毛朝斌

(中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙410111)

扫描式磁控溅射设备及工艺研究

范江华，胡凡，彭立波，程文进，佘鹏程，毛朝斌

(中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙410111)

介绍了一种扫描式双腔连续生产型磁控溅射镀膜设备，通过研究不同溅射压强、溅射功率密度下金属薄膜的沉积速率以及沉膜均匀性，实验结果表明在溅射压强0.3 Pa、溅射功率密度9 W/cm2的条件下沉积TiW薄膜的沉膜速率约41.5 nm/min，均匀性低于4%；沉积Cu薄膜的沉膜速率约95.2 nm/min，均匀性低于3%，符合电子器件镀膜工艺需求。

磁控溅射；薄膜；工艺实验；扫描；沉积

磁控溅射沉积技术具有沉膜密度高、附着力强、基片温度低、薄膜损伤小、沉膜材料范围广泛等特点，同时制备装置简单且适合于大面积薄膜生产，是制备光学薄膜、超硬薄膜、耐磨薄膜、磁性薄膜、装饰用薄膜以及金属导电薄膜的常用手段，因此被广泛应用于光学元件、航空发动机、磁性存储器、微电子器件以及集成电路等领域[1-2]，是电子工业镀膜生产中最主要的技术之一。

针对电子工业镀膜工艺生产要求，本文报道了一种自动上下料、沉膜尺寸大于300 mm兼容不规则基片的生产型磁控溅射镀膜系统。该系统采用卧式双腔结构，通过工件盘装载基片水平扫描加矩形靶溅射相结合实现大尺寸、高均匀性的沉膜工艺要求，设备配备多个磁控溅射靶枪且涵盖直流和射频溅射，因此可快速沉积单层金属、半导体薄膜以及多层复合薄膜。……