曹 强 王赛赛 张 倩

(泰山医学院化学与制药工程学院，山东 泰安 271016)

球形硫化镉半导体纳米材料的合成*

曹 强 王赛赛 张 倩

(泰山医学院化学与制药工程学院，山东 泰安 271016)

目的 用一种新的方法合成出球形的纳米硫化镉材料。方法 以二甲基亚砜(DMSO)溶剂热为基础，在不加入表面活性剂情况下，加入氯化钾作为结构调节剂，改变反应物浓度、反应时间合成出不同微观结构、形貌和微观尺寸的纳米硫化镉。结果 不同条件下合成的纳米硫化镉的XRD衍射峰均和六方硫化镉(JCPDS No. 41-1049)特征衍射峰对应，并且硫化镉的形貌和尺寸可以通过反应条件调节。结论 通过改变反应条件可以控制合成产物硫化镉的结构和微观尺寸且这是一种温度低、时间短、成本较低、操作简单的合成方法。

硫化镉；半导体；纳米材料；溶剂热

硫化镉是一种重要的半导体材料，其禁带宽度为2.4 eV[1]。硫化镉纳米半导体材料具有优良的物理、化学性质和很多潜在的应用价值，例如光电转换、光催化、光电池、发光二级管、生物标记、电致发光等[2]。纳米硫化镉与普通的硫化镉相比具有更大的比表面积和更强的吸附性，而控制纳米材料的形貌是调控其性能的一个非常重要的方面[3]。所以对于纳米硫化镉半导体材料的实际应用来说，最根本的是研究它的合成方法，以便控制纳米硫化镉的微观结构、形貌和微观尺度进而达到调控性能的目的。而纳米硫化镉的合成方法多种多样：固相法、水热法、模板法、乳液法、沉淀法等[4-8]。……