李其昌，李兵伟，陈 宏，李 江

(驻某军代室，山东 烟台 264630)



玻璃微流检测芯片厚胶光刻温度条件的平衡优化

李其昌，李兵伟，陈 宏，李 江

(驻某军代室，山东 烟台 264630)

采用正性光刻胶AZ 4620进行玻璃微流检测芯片的厚胶光刻制备，试验了各工艺阶段不同的温度参数条件对光刻胶浮雕面形、光刻胶与玻璃基质的粘附性、光刻胶在刻蚀液中的耐受时间、刻蚀速率和最大刻蚀深度等因素的影响。结果表明，软烘温度直接影响曝光显影工艺质量；后烘温度对显影效果有一定影响；坚膜温度对光刻胶浮雕面形、耐受时间有较大影响；而刻蚀环境温度直接影响着刻蚀速率、刻蚀深度和刻蚀面形效果。经平衡优化后，得出了理想的温度参数选取方案。

微流检测芯片；紫外厚胶光刻；温度平衡优化

近年来，运用厚胶光刻工艺刻蚀微流检测芯片受到了广泛重视[1-3]。微流检测芯片刻蚀深度对其分析检测性能有很大影响，尤其是基于吸收光度检测的微系统，若微流检测芯片深度太浅，将导致检测区吸收光程短，相对灵敏度低[4]。而湿法刻蚀相较于干法刻蚀更易获得较大的刻蚀深度，通过湿法刻蚀工艺在玻璃材质上刻蚀微流检测芯片结构，在对微流检测芯片尺寸形貌要求不十分苛刻的场合具有很好的应用前景。

温度控制是厚胶光刻过程的重要环节，主要包括前烘/软烘(soft baking)、后烘(post exposure baking)和硬烘/坚膜(hard baking)过程的温度控制，以及刻蚀环境温度的控制。本文通过反复试验，平衡优化了各阶段烘焙温度、刻蚀环境温度，以提高光刻面形质量，增加光刻胶掩膜层在刻蚀液中的耐受时间，从而加深玻璃微流检测芯片的刻蚀深度。……