张 琪，赵士超，金圣忠，吕燕飞

(杭州电子科技大学材料物理研究所，浙江 杭州 310018)



h-BN薄膜表面PMMA残留去除研究

张 琪，赵士超，金圣忠，吕燕飞

(杭州电子科技大学材料物理研究所，浙江 杭州 310018)

化学气相沉积法(CVD)制备的六方氮化硼薄膜(h-BN)的清洁转移一直备受关注，h-BN从生长基底向其它目标基底转移过程中会引入PMMA残留物，影响h-BN薄膜的性质和应用.为研究PMMA残留物的去除，首先采用低压化学气相淀积法制备了h-BN薄膜并转移至基底表面，然后分别采用丙酮溶解、还原热处理、氧化热处理的方法去除h-BN薄膜转移过程中PMMA残留物.研究结果发现，丙酮溶解和还原热处理都不能有效去除PMMA残留，长时间的氧化热处理可以彻底去除PMMA残留.

六方氮化硼；转移；PMMA；残留物

0 引 言

六方氮化硼(h-BN)薄膜是一种二维介电材料，禁带宽度为6.07 ev[1]，具有高热导率，高机械强度，高电阻和良好的化学惰性等性能，用于热界面材料、保护涂层和纳米电子介质和深紫外光电器件等领域[2].此外，由h-BN与石墨烯制备的异质结能够储存电子能量和动量，可制作精细红外探测器、混频器和模数转换器等高频器件，为未来电子及光电传感器等超高频率设备的设计制造开辟了一条新途径[3].早期，通过从高取向热解氮化硼晶体机械剥离获得h-BN薄膜，虽然这种方法可以得到h-BN单原子层，但厚度和样品大小很难控制[4].化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是近年来研究较多的方法，CVD能实现大面积、连续、高质量h-BN原子层薄膜的制备[5-6].本文直接把硼……