王海龙， 韦志禄， 李耀耀， 王 凯，潘文武， 吴晓燕， 岳 丽， 李士玲， 龚 谦， 王庶民

(1. 山东省激光偏光与信息技术重点实验室， 曲阜师范大学 物理工程学院， 山东 曲阜 273165;2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050)



气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

王海龙1*， 韦志禄1， 李耀耀2， 王 凯2，潘文武2， 吴晓燕2， 岳 丽2， 李士玲1， 龚 谦2， 王庶民2

(1. 山东省激光偏光与信息技术重点实验室， 曲阜师范大学 物理工程学院， 山东 曲阜 273165;2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050)

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1， E1的能级位置为Ec-0.38 eV，俘获截面为1.87×10-15cm2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1， H1的能级位置为Ev+0.31 eV，俘获截面为2.87×10-17cm2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn，深中心H1可能来源于形成的Bi 原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。

InPBi； 深中心； 深能级瞬态谱(DLTS)； 气源分子束外延(GSMBE)

1 引 言

半导体光电子器件材料以高质量、低成本为目标，材料中的杂质和缺陷对半导体器件的性能有重要影响。随着对材料的结构、力学、化学和电学特性的深入研究，其缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷相互作用将是需要进行深入研究的很重要的方面。深能级缺陷的研究是一个比较复杂的问题，其中瞬态电容的方法应用比较广泛[1-2]，可用于确定深中心的能级位置、浓度和俘获截面等参量的数值。……