王佳玉

摘 要：文章简要介绍了低压差线性稳压器的技术起源及发展概况，针对国内外低压差线性稳压器技术的相关专利申请，从申请量年代分布、申请人类型、主要申请人等方面进行了分析，并结合具体专利申请对低压差线性稳压器的发展方向进行了详细地说明。

关键词：低压差线性稳壓器；发展概况；专利文献

1 低压差线性稳压器的发展概况及性能评价

1.1低压差线性稳压器发展概况

LDO是一个功耗很低的微型片上系统，通常由做电流主通道的MOSFET调整元件、误差放大器、采样电阻、带隙基准、过流保护等专用电路在一个芯片上集成而成。因为它在调整元件上的压降非常低，所以改善了传统的线性稳压器效率低的缺点。自从LDO出现以来，输入输出压差已经由最初的0.2V降低到目前的50mV左右，调整元件的损耗变小，电源的转换效率提高，由此延长了电池的使用时间。目前市场上主要有双极型和CMOS型两种LDO稳压器，两者具有不同的特点。

双极型器件开发早，工艺相对稳定成熟，其主要优点在于，对于给定的芯片尺寸，其具有相当高的电流能力，用双极工艺可以制造出速度高、模拟精度高、驱动能力强的器件，适用于高精度的模拟集成电路，但其功耗大、集成度低、无法满足集成规模越来越大的系统集成要求。

CMOS器件具有极低的静态功耗、高集成度、抗干扰能力强、宽的电源电压范围以及较宽的输出电压幅度，且CMOS型线性稳压器的调整组件是电压驱动的，大大降低了器件本身消耗的电流，输入输出间的压降特别低。……