竹锦霞

(四川文理学院智能制造学院，四川达州635000)



托卡马克中低杂波电流驱动下高能电子行为分析

竹锦霞

(四川文理学院智能制造学院，四川达州635000)

在低杂波电流驱动下，快电子和逃逸电子构成了非麦克斯韦电子分布的高能尾部.高能快电子由于低的碰撞频率可以有效的携带电流来实现非感应电流驱动.但是在一定条件下，快电子可以转化为高能逃逸电子，这将对装置第一壁材料造成损伤.利用快电子轫致辐射测量以及逃逸电子诊断系统研究了低杂波电流驱动下快电子分布和逃逸电子的产生，并分析了快电子转化为逃逸电子的现象.

低杂波电流驱动；高能电子；转化

0　引言

在环形电场的作用下，当部分快电子受到的碰撞阻尼力小于电场力时会不断的被加速到高能区，它将和本底等离子体解耦，自身处于一个相对稳定的状态.逃逸电子能量很高(可达数MeV)，若高通量的逃逸电子释放能量到装置第一壁时，它会严重损坏该处壁材料.低杂波驱动下的快电子能量可接近于逃逸能量阈值，在一定的条件下通过准线性扩散可以增加电子在速度空间的扩散，并越过逃逸的速度阈值，从而增强逃逸.[3]为了下一代装置的稳态运行，理论和实验上都需要研究托卡马克中高能电子的产生，约束以及损失行为，并探索有效的抑制逃逸电子的手段.在国内外的托卡马克装置上，如TEXTOR，DIII-D, EAST, HL-2A在实验方面对逃逸电子进行了大量研究.[4-6]

本文……