杜平

海军装备部驻保定地区航空军事代表室，河北保定071000

高隔离度和ns级响应时间的主动式射频前端限幅设计方法

杜平

海军装备部驻保定地区航空军事代表室，河北保定071000

用于防止射频前端受到物理损伤的限幅器，其限幅输出电平难以得到有效抑制，并且容易导致敏感的低噪声放大器进入深度饱和状态，影响接收通道的正常工作。因此，提出一种具有高隔离度和ns级响应时间的主动式射频前端限幅模块设计关键技术。经实验验证，所设计的模块通过集成检波器、高速比较器和多级PIN二极管，能够较大程度的降低限幅模块的饱和阻抗，提高强射频信号注入时的隔离度，从而降低泄露到后级敏感模块的功率等级，防止接收机进入深度饱和状态。

射频前端；限幅器；PIN二极管

0　引　言

电磁脉冲辐射导致的射频接收前端饱和是射频系统面临的主要电磁脉冲危害。针对典型射频系统的实验表明，对于低噪声放大器，在幅度为mW级、脉宽为ns级的脉冲作用下，会导致长达数百微秒的饱和时间。饱和期间，射频通道对于有用接收信号会丧失放大功能，导致接收机无法正常对信号进行传输和处理，如果电磁脉冲重复频率达数千赫兹以上，接收机饱和导致的危害将更加严重。目前，国内外电磁脉冲辐射危害效应的研究主要聚焦在高功率毁伤效应上，对饱和问题的研究尚处于起步阶段［1-3］。为解决低噪声放大器的饱和问题，侦察接收系统通常在低噪声放大器前端采用限幅模块，但限幅模块的限幅效果非常有限，限幅输出的信号功率通常在5～7 dBm，仍然接近低噪声放大器饱和信号功率，无法有效解决低噪声放大器在电磁脉冲辐射作用下的深度饱和问题。……