向　东　吴育家　杨继平　龙旦风　牟　鹏

1.清华大学，北京，100084　　2.中冶赛迪集团有限公司，重庆，400013

废旧电路板元器件分离位移模型研究

向东1吴育家1杨继平2龙旦风1牟鹏1

1.清华大学，北京，1000842.中冶赛迪集团有限公司，重庆，400013

摘要：在焊料加热熔化的前提下，电子元器件拆解取决于在拆解外力作用下元器件相对电路板基板产生的位移即元器件分离位移。首先建立水平拆解和垂直拆解两种方式下不同元器件的分离位移模型；然后重点针对3种典型类型元器件引脚下的焊料在垂直拆解时的断裂高度进行分析，基于牛顿静压力方程和拉普拉斯方程建立了焊料断裂高度的数学模型，并通过实验验证了模型的正确性。废旧电路板上元器件分离位移模型对于确定拆解工艺参数具有重要价值。

关键词：废弃电路板；拆解；分离位移；断裂高度

0引言

随着越来越多的电子电器产品被废弃，废旧电子电器的再使用、再制造和资源化等处理方法正逐渐引起人们的重视。废旧电子电器中含有大量高回收价值的电路板，但对电路板不恰当的回收处置方式会对环境产生新的污染和危害，其中电路板拆解是对基板、元器件及焊料分别处理的关键技术。

电路板拆解最早始于对电路板上单个元器件的拆解更换[1]。近年来针对废旧电路板拆解的研究也逐渐增多，取得了不少研究成果。Feldmann等[2]对拆解过程中加热与施力的结合方式进行了分析，并采用振动方法拆解废旧电路板，提出通过改变激振频率和振幅来获得不同的拆解力和加速度，他们还提出了一种集元器件功能回收和材料回收于一体的拆解工艺，规划了拆解系统的布局。瓦拉依丁[3]分别采用旋转、振动、冲击等工艺对插装元器件(through-hole device, THD)进行拆解试验，试验结果定性表明冲击可以提供较大的拆卸力，有利于提高THD的拆解效率。段广洪等[4]基于元器件再使用的废旧电子电器拆解技术，分别进行了电路板元器件拆解效率分析和拆解元器件再使用性分析，并从拆解施力影响和加热解焊参数影响两个方面进行了实验研究。Yang等[5-6]在建立THD垂直拆解下的力学模型、表面贴装元器件(surface-mount device, SMD)垂直拆解和水平拆解下的力学模型的基础上，量化分析了THD和SMD两种元器件在垂直拆解、水平拆解情况下的最小拆解外力与最小加速度。Yokoyama等[7]在实验中测试了拆解元器件所需的拆解力，认为对于THD和SMD分别采用不同的拆解方法更有效，并采用红外加热和冲击拆解的方法研制了废旧电路板拆解设备。Knoth等[8-9]、Kopacek等[10]和Hoffmann等[11]认为刚性的、针对某一具体产品型号的自动拆解方式在经济上并不可行。为此，他们基于柔性拆解单元和拆解族的概念，采用激光加热方式对可重用元器件解焊，利用机械手对其拆解，再采用抓取机构拆解其他元器件，并研制了相应的拆解单元。此外还有上百份电路板拆解方面的专利[12-20]，都在拆解设备的具体设计上提出了新的方法。

目前对废旧电路板上元器件的拆解分离研究多集中在拆解力和拆解加速度的量化方面，实验证明只考虑拆解力并不能确保实现元器件的完全拆解。元器件在拆解外力作用下相对于电路板基板的位移直接影响振动冲击等方法对元器件的拆解效果。鉴于此，在保证焊料熔化的前提下，本文首先建立水平拆解和垂直拆解两种方式下元器件的分离位移模型；然后重点针对垂直拆解下元器件的分离位移模型，分析带有大安装面的元器件、带焊球的元器件和其他带引脚的表面贴片元器件等3种典型元器件下焊料的断裂高度，基于牛顿静压力方程和拉普拉斯方程建立了焊料断裂高度的数学模型，并通过实验验证了所建模型的正确性。分离位移模型是衡量元器件在振动及扫刷等方式下能否拆解的重要判别标准，为确定拆解参数提供了依据。

1元器件的分离位移模型

1.1条件假设

研究中，将元器件分离位移定义为元器件在拆解过程中在拆解力的作用下相对于电路板基板的位移。元器件的分离位移与引脚下焊料的初始形状、焊料用量、焊料成分、元器件的拆解分离方式等诸多因素有关，为了便于分析问题，对元器件及其引脚的分离位移模型作如下简化和假设：

(1)假定熔融焊料的物理化学性质在拆解过程中保持稳定，认为焊料的表面张力系数σ和熔融焊料与引脚表面、焊盘表面的接触角θ(α0)在整个拆解过程中不变。

(2)假定形状和尺寸相同的引脚下的焊料用量相同，因此在同一方向、同一拆解方式下引脚的分离位移也相同。

将电路板水平摆放，按照施力方向与基板板面的位置关系考虑垂直拆解和水平拆解两种情况：垂直拆解时，元器件安装面朝下，拆解外力垂直于基板板面施加在电路板元器件上；水平拆解时，元器件安装面朝上，拆解外力平行于基板板面施加在元器件上。下面分别分析这两种拆解方式下元器件的分离位移。

1.2水平拆解

水平拆解的拆解对象是SMD，其分离位移与元器件周围其他元器件的布置情况、元器件的封装类型和焊盘尺寸等因素有关。

如果元器件周围的其他焊接区域较少，元器件的分离位移就是从其基板焊盘位置脱开需要的位移，在焊料层厚度较薄的情况下，可以近似认为只要引脚与对应焊盘完全错开，焊料就断裂了。对于采用SOJ(small outline J-leaded)、SOP(small outline package)等封装形式的SMD，由于其引脚排列在元器件两侧，而相邻引脚的间距较大，如图1a所示，如果采用Lh表示元器件的水平分离位移，ai、bi表示元器件引脚在基板上对应焊盘的长宽尺寸，如图1b所示，则这类SMD的水平分离位移Lh可表示为

Lh=max(ai,bi)i=1,2,…,n

(1)

式中，n为元器件的引脚数量。

采用QFP(quad flat package)、PLCC(plastic leaded chip carrier)、BGA(ball grid array)等封装形式的SMD，其引脚分布在元器件四周，如图1c所示，其在基板上的对应焊盘是一个封闭的矩形区域，因此要将元器件从基板上对应焊盘位置完全移开，分离位移需要满足：

Lh=min(A,B)

(2)

式中，A、B分别为SMD在基板上对应焊盘区域的长宽尺寸，如图1d所示。

(a)SOP封装芯片

(b)SOP封装形式引脚尺寸示意图

(c)QFP封装芯片(d)焊盘区域尺寸示意图图1　各种封装芯片的示意图

对于其他引脚数较少的SMD(包括体积微小的片式元件)，其水平分离位移是引脚与对应焊盘完全错开所需要的位移，如果引脚对应焊盘的尺寸是ai、bi(对于矩形焊盘)或di(对于圆形焊盘)，则这类SMD的水平分离位移可近似表示成

Lh=max(ai,bi)

(3)

或

Lh=maxdii=1,2,…,n

(4)

如果元器件周围的其他焊接区域较多，引脚的宽度大于其间距，元器件从基板对应焊盘脱离后，可能会在其他焊盘位置重新焊接，因此这时元器件的分离位移必须大于元器件在基板上的对应焊盘与其他焊盘的距离，通常情况下，可以采用基板的尺寸表示，若沿水平拆解方向电路板基板的尺寸为LA，则SMD的水平分离位移为

Lh=LA

(5)

1.3垂直拆解

垂直拆解对象为SMD和THD，元器件的分离位移与元器件的引脚形式、焊料层厚度、焊接区域大小和焊点初始形状等因素有关。

当THD引脚从基板通孔中拔出时，由于焊料位于引脚中部且引脚本身有一定长度，焊料实际断裂高度由两部分组成，如图2所示，一部分为元器件引脚顶端到电路板安装面的引脚长度，用hp表示，另一部分是引脚顶端退缩至电路板安装面以下后，熔融焊料在元器件引脚顶端断裂时的高度，称为断裂高度，用hs表示，于是THD引脚的分离位移为h=hp+hs，因此对于THD，垂直拆解时的分离位移可以表示成

H=maxhi=max(hpi+hsi)i=1,2,…,n

(6)

即THD垂直拆解时的分离位移等于所有引脚分离位移中的最大值。

(a)引脚顶端到基板的引脚长度

(b)焊料断裂时引脚顶端的高度图2　垂直拆解THD时引脚的断裂高度组成

对于SMD，焊料位于引脚底部，垂直拆解时所有焊点断裂高度决定了SMD的分离位移，因此SMD垂直拆解时的分离位移可表示成

H=maxhsii=1,2,…,n

(7)

由式(6)、式(7)可知，只要得到焊料的断裂高度hs，就可求得在垂直拆解下元器件的分离位移，因此下面主要分析垂直拆解时焊料的断裂高度。

2焊料的断裂高度分析

垂直拆解元器件时，熔融焊料在拉长至断裂过程中其外形是不断变化的。在熔融焊料的表面张力和重力作用下，熔融焊料、引脚和焊盘所组成的微系统总是力求使其表面自由能最小，这样就在熔融焊料表面内外两侧造成压力差Δp，Δp由拉普拉斯方程确定，如下式所示：

(8)

式中， p、pa分别为熔融焊料液面下的压强和液面外大气压强；σ为熔融焊料的表面张力；R1、R2分别为过熔融焊料液面上任意一点互相垂直的正交截线(包含过该点法线的平面在曲面上截出的曲线)的曲率半径。

另外，熔融焊料内部的压力还满足流体静压力方程

Δp=ρgΔy

(9)

式中，Δy为焊料内部一点的液柱高度；ρ为熔融焊料的密度；g为重力加速度。

根据式(8)和式(9)结合不同引脚的边界条件，就可以建立不同引脚下的焊料断裂高度模型。下面对三种典型引脚焊料的断裂高度进行建模分析。

2.1元器件安装面下焊料断裂高度建模

TO(transistor outline)-263、TO-252等封装的场效应管的安装面面积较大，且基本呈矩形。将焊料熔化之前的形状简化为安装面沿其法线方向的拉伸体，焊料熔化之后，在拆解外力作用下，安装面与基板焊盘之间发生相对位移，表面张力作用使焊料向安装面与基板焊盘中部收缩并使截面积减小，以维持三者组成的微系统的表面自由能最小。由于表面张力在各方向上具有一致性，故收缩过程中焊料的形状具有回转对称性，在安装面与基板焊盘保持平行的情况下，焊料断裂时的截面形状呈圆形。焊料在拉伸过程中外形轮廓如图3所示。由此可以导出:

(10)

其中，R1前的“-”号表示所在点曲率半径R1的圆心在焊料外部，式(10)第一式由曲线长度可推导出，第二式为简单的几何关系，而第三式为曲线斜率表达式。

图3　焊料外形轮廓

由此可得

(11)

式中，Δp(α0)为在焊料表面与x轴成α0角度处液面两侧的压力差。

由式(8)得到在x轴处的表达式:

(12)

式中，xα0和R10分别为在焊料表面与x轴成α0角度处的x坐标和曲率半径R1。

式(11)不易直接积分，故采用数值计算的方法。假定焊料层厚度已知且与安装面具有相同面积，则可计算焊料的体积。已知焊料的体积Vs、焊料与安装面的接触角α0和焊料与基板焊盘的接触角αn，则相应的焊料断裂高度的算法如下：

(1)确定R10的一个取值，根据实验观察确定xα0的可能取值范围，取其中点值作为数值计算的起点，由式(12)可求得对应Δp(α0)，代入式(11)，采用四阶龙格-库塔法即可求得不同的R10和xα0值下所对应的曲线y-x。该曲线y-x所包围的体积

(13)

与已知焊料的体积Vs对比，根据V′和Vs的相对大小，采用二分法确定xα0下一点的取值，直到|V-Vs|<0.01Vs，由此确定一组R10和xα0。

(2)改变R10的取值，在一个取值范围内遍历，计算不同的R10值下所对应的曲线y-x，并注意不同R10取值时y值的变化趋势，通过试算找到合适的R10使y值最大，即为所求的焊料断裂时的高度h，也就是带安装面元器件的分离位移，此时的轮廓曲线即为焊料断裂时的轮廓曲线。算法流程如图4所示。若TO-263场效应管的焊料体积V=6.0mm3，α0=αn=30°，采用上述方法可计算其轮廓线如图5所示，断裂高度h=2.0mm。

图4　安装面下焊料断裂高度计算程序流程图

图5　TO-263场效应管的焊料拉断时轮廓与分离位移

2.2焊球断裂高度建模

BGA、CSP形式封装的IC芯片的引脚呈球形阵列分布在元器件的底面，元器件和基板焊盘的形状均为圆形，焊球近似为削去两个球冠的球形。

与安装面下整个焊料外形都呈内凹形不同，在焊球熔化后的分离和断裂过程中，焊料靠近元器件焊盘部分通常保持外凸形轮廓，在靠近电路板基板焊盘部分则呈内凹形，因此其外形轮廓线上点的位置不是x轴与轮廓线夹角α的单调函数，不能直接采用式(11)求解。

注意到外形轮廓线的姿态及点的位置是y坐标的单调函数，因此可将式(11)改写为

(14)

式(14)的形式和式(11)一样，同样可以采用数值计算方法求解。与安装面下焊料断裂高度计算的区别在于，安装面下焊料分离位移计算模型中，焊料与安装面和基板焊盘的接触角α0和αn作为已知值输入，通过焊料体积和方程组的约束求出焊料断裂高度最大时对应的焊料上下底面半径r1和r2；焊球分离位移计算模型中，焊盘底面半径r1和r2作为试算值输入，并设定焊料与元器件焊盘接触角的起始计算值(对于焊球，起始值根据经验设为90°)，通过焊料体积和方程组的约束求出焊料分离位移最大时对应的两个接触角。

已知BGA封装的VT8235M芯片的焊球体积V=0.105mm3，焊球原始高度h0=0.5mm，通过试算求解得到，当r1=0.224mm、r2=0.18mm时，焊球断裂前的总高度近似达到最大值，此时其轮廓线如图6所示，由于焊球原始高度h0的存在，因此焊球断裂高度h=0.94 mm-0.5 mm=0.44 mm。

图6　BGA封装芯片的焊球断裂时的轮廓线与总高度

2.3矩形或圆形底面引脚焊料断裂高度建模

一般元器件的引脚尺寸通常较小，由于焊料层较薄，焊料体积小，一些翼形或J形引脚还具有较大的长宽比，因此拆解分离时焊料的横截面形状比较复杂，不易对焊料形状进行建模，需要首先对焊点横截面形状进行简化。

注意到采用SOP、SOJ、QFP、PLCC、SOT(small outline transustor)等封装形式的SMD一般有若干个翼形引脚或J形引脚，引脚底面与焊料的接合面通常为矩形；求取THD的分离位移时，THD引脚端部的形状一般为矩形或圆形，其他非平面形状的THD引脚端部可以近似按矩形或圆形处理；体积微小的片式元件，其金属化端子与焊料的接合面主要是矩形的底面和侧面；基板上引脚焊盘的形状也通常是矩形或圆形。因此，元器件引脚与焊料结合面的形状通常为矩形或圆形，或者可以近似为矩形或圆形的形状。

对于长宽尺寸分别为l、w的矩形底面的引脚，首先将引脚下面的焊料截面近似认为是一个长短轴半径分别是l、w的椭圆，再将其等效为一个同面积的圆，得到相应的焊料上下底面等效半径r1和r2(这里r1=r2)，这样就可以采用与焊球断裂高度模型相同的方法计算矩形截面下焊料的断裂高度了。对于直径为d的圆形底面引脚，可以直接采用焊球分离位移计算模型求解。对以上两种底面形状的引脚，与焊球断裂高度模型求解过程不同的是，焊料与引脚底面接触角的起始值不为90°，而是通常取15°～30°。

建立了不同引脚下的焊料断裂高度模型后，给定引脚和焊盘的相关边界条件值，由式(6)和式(7)就可得到THD和SMD垂直拆解时的分离位移。

3焊料断裂高度的实验验证

由于垂直拆解的位移分离模型中存在断裂高度，而水平拆解中不存在，故而验证元器件分离位移模型也分别对水平拆解与垂直拆解两种情况进行验证。

对于水平拆解，SMD与基板间的焊料对SMD的引脚存在润湿力和黏性剪切力，在水平拆解力的作用下，引脚与焊盘完全错开，焊料断裂，元器件就被拆解下来了，因而分离位移就是元器件引脚尺寸。分离位移的计算公式如式(1)～式(4)所示。

对于垂直拆解，由于存在焊料断裂高度，在验证中采用实验手段。首先计算元器件在位移分离模型中的分离位移，然后在实验条件下测量实际的分离位移，两者相比，若相符则证明拆解模型正确。垂直拆解可拆解的元器件种类众多，而带有安装面的元器件所需的最小拆解力较大，方便实验条件的控制，故以带有安装面的场效应管为例进行实验。焊料选用Sn63Pb37焊料，其熔融状态下的相关物性参数如表1所示。采用热风枪对着有焊接场效应管的基板加热，使焊料变成熔融状态，然后通过连接着位移测量装置的夹具将TO-263封装且型号为APM3055L的场效应管从基板上缓慢拉开(铁架台用来保证移动方向)，在焊料与场效应管刚好完全分离时测得的位移就是拉断高度，实验条件如图7所示。

表1　熔融Sn63Pb37焊料的相关物性参数

图7　焊料拉断高度实验

对于实验中的多个焊盘，在常温条件下测量其几何尺寸。焊盘的长度为5.0～6.5 mm，宽度为5.3～7.2 mm，焊料的厚度为0.2～0.35 mm，则常温下焊料的体积约为5.30～16.38 mm3。而常温时焊料的密度为8.4×103kg/m3，根据质量守恒计算得高温时焊料的体积为5.35～16.53 mm3，然后采用图4所示的计算流程得到理论的拉断高度为1.94～2.57 mm。

通过拉断实验，测得拉断高度为2.21～2.88 mm，与实验数据大体上相符，总体误差在0.3 mm以内。观测实验过程中焊料的形状，如图8所示，其与计算中的形状相同。在图7的夹具拉伸下，拉伸的速度均匀性的控制不当会影响断裂高度，且拉断位置点的判断也存在误差，这些都造成测量值与计算值存在误差。另外，0.3 mm对于元器件的拆解没有影响，稍有扰动就会拆解，故可认为实验值与计算值在0.3 mm误差范围内是可接受的。

(a)开始(b)拉伸

(c)拉长(d)断裂图8　TO-263场效应管与基板的分离过程

综上所述，元器件的位移分离模型与实验是吻合的，这一模型为实际振动冲击拆解过程的拆解效果分析提供了支撑。

4结论

(1) 建立了水平拆解和垂直拆解时元器件的分离位移模型，确定了常见典型封装的元器件拆解最小位移。

(2)分析了垂直拆解时元器件引脚下焊料的断裂高度，分别建立了带有大安装面的元器件、带焊球的元器件和其他带引脚的表面贴片元器件3种元器件下焊料的断裂高度模型，并运用牛顿静压力方程和拉普拉斯方程推导了断裂高度的计算方法，通过实验测量验证了断裂高度计算的有效性。

(3)利用所建焊料的断裂高度模型，可以计算元器件垂直拆解时的分离位移，从而为振动冲击等方法下分析元器件的分离效果分析、开发元器件拆解设备提供支撑。

参考文献：

[1]Corp B. Solder Machine-simultaneously Solders the Leads on an Integrated Circuit Component: US，3684151-A[P]. 1972-08-15.

[2]Feldmann K, Scheller H. The Printed Circuit Board-A Challenge for Automated Disassembly and for the Design of Recyclable Interconnect Devices[C]//International Conference on the Clean Electronics Products and Technology (CONCEPT). New York:IET Digital Library, 1995:186-190.

[3]瓦拉依丁. 带元器件电路板拆卸工艺研究[D]. 北京: 清华大学, 2005.

[4]段广洪, 向东, 杨继平, 等. 废旧电子电器资源化关键技术研究[J]. 数字制造科学, 2008,6(1):3-39.

Duan Guanghong, Xiang Dong, Yang Jiping, et al. Research on the Key Technology of Recycling Wasted Electrical and Electronic Equipment[J]. Digital Manufacturing Science, 2008,6(1):3-39.

[5]Yang J, Xiang D, Wang J, et al. Removal Force Models for Component Disassembly from Waste Printed Circuit Board[J].Resources,Conservation & Recycling, 2009,53(8):448-454.

[6]Yang J, Wang J, Xiang D, et al. Research on Mechanical Models for Disassembling Components from Scrap Printed Circuit Board Assemblies[C]//Proceedings Global Conference on Sustainable Product Development and Life Cycle Engineering, Sustainability and Remanufacturing VI. Busan, Korea, 2008:83-88.

[7]Yokoyama S, Iji M. Recycling of Printed Wiring Boards with Mounted Electronic Parts[C]//Proceedings of the IEEE International Symposium on Electronics and the Environment. New York:IEEE,1997:109-114.

[8]Knoth R, Hoffmann M, Kopacek B, et al. Intelligent Disassembly of Electr(on)ic Equipment[C]//Proceedings of Second International Symposium on Environmentally Conscious Design and Inverse Manufacturing, EcoDesign.New York:IEEE, 2001:557-561.

[9]Knoth R, Brandstötter M, Kopacek B, et al. Automated Disassembly of Electr(on)ic Equipment[C]//Proceedings of the IEEE International Symposium on Electronics and the Environment.New York:IEEE, 2002:290-294.

[10]Kopacek P, Kopacek B. Intelligent, Flexible Disassembly[J]. International Journal of Advanced Manufacturing Technology, 2006,30(5/6):554-560.

[11]Hoffmann M, Knoth R, Kopacek B, et al. How Can Experiences from Reuse Activities Influence the Development of DFE-tools[C]//Proceedings of the IEEE International Symposium on Electronics and the Environment.New York:IEEE, 2001:264-267.

[12]张杰. 废弃电路板的电子元件、焊料的分拆与回收方法及装置: 中国，CN1600458A[P]. 2005-03-30.

[13]Trodler J, Reuter H, Franke M. Removal Device for Circuit Board Surface-mounted Components: Germany,DE19525116-A1[P]. 1997-01-09.

[14]湧川朝宏. プリント基板からの電子部品および半田の分離装置および分離方法:日本，JP10200255-A[P]. 1998-7-31.

[15]横沢雄二, 吉田陽. プリント基板の解体方法および解体装置: 日本，JP2004022607 A[P]. 2004-01-22.

[16]那須敏幸, 竹内暢人, 香宗我部秀雄. 実装基板のリサイクル装置:日本，JP9-83129[P]. 1997-03-28.

[17]藤田惠之助. プリント基板廃材の処理方法及びその装置:日本，WO02/42016 A1[P]. 2002-05-30.

[18]Englert K. Process and Plant for the Automatic Removal of Components: EP, WO94/13124[P]. 1994-06-09.

[19]唐德文, 何志锋, 刘永霞, 等. 一种废旧电路板拆解机: 中国，CN104511453A[P]. 2015-04-15.

[20]许振明, 王建波. 带元器件电路板的拆解装置及其拆解方法: 中国，CN103990879A[P]. 2014-08-20.

(编辑王艳丽)

Study on Separating Displacement Models for Component from Waste Printed Circuit Board

Xiang Dong1Wu Yujia1Yang Jiping2Long Danfeng1Mou Peng1

1.Tsinghua University,Beijing,1000842.CISDI Group Co., Ltd.,Chongqing,400013

Abstract:Under conditions of melt solder, whether components might be disassembled was decided by the separating distance between components and the substrate (named as separating displacement) caused by removal force. Firstly, the models of separating displacement for surface mount devices (SMD) and through-hole devices (THD) were established under the conditions of vertical disassembly and horizontal disassembly. Secondly, based on the Laplace equation and the Newton’s equation for hydrostatic pressure, tensile breaking height of solder was analyzed and modeled in vertical disassembly for 3 typical kinds of components and the programmed algorithm was elaborated in detail. Finally, to verify the models for tensile breaking height of the melted solder, based on SMD with mounting base experiments were performed and the results show that the models for tensile breaking height are effective for melting solder. Models of separating displacements for components will be helpful to quantify the distance between components and the substrate, which is helpful for preparing the dismantling process of waste PCBs.

Key words:waste printed circuit board (PCB); disassembly; separating displacement; tensile breaking height

收稿日期：2015-07-28

基金项目：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA040207)

中图分类号：TN606

DOI：10.3969/j.issn.1004-132X.2016.11.004

作者简介：向东，男，1972年生。清华大学机械工程系副研究员、博士研究生导师。主要研究方向为机电产品绿色设计理论与方法、电子废料再资源化工艺及装备、印制电路板行业清洁生产和逆向后勤学。吴育家，男，1989年生。清华大学机械工程系硕士研究生。杨继平，男，1971年生。中冶赛迪集团有限公司高级工程师、博士。龙旦风，男，1985年生。清华大学机械工程系博士后研究人员。牟鹏，男，1977年生。清华大学机械工程系讲师、博士。