大功率GaN基HEMT的专利申请趋势分析

武树杰 李娟娟 国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心

电子信息技术是20世纪末兴起的技术，是21世纪技术的制高点，其中以HEMT（High Electron Mobility Transistor：高电子迁移率晶体管）为代表发展最为显著[1]，本文分析其在全球和国内的专利申请情况，研究了全球和国内专利申请量随时间的变化，全球的申请的国家分布，主要的申请人，国内申请国家的分布，国内申请人的分布。

高电子迁移率晶体管；专利申请

引言

GaN与其他的半导体材料相比，其优良的参数决定了其适合制作HEMT器件，GaN基HEMT具有大电流密度、高功率密度、低噪声、良好的频率特性决定了GaN在军用民用两个领域都有广泛的应用前景，GaN基HEMT的单位功率密度是GaAs基HEMT的10倍，可以减小系统尺寸并降低阻抗匹配的难度。

以HEMT、High Electron Mobility Transistor、高电子迁移率晶体管、大功率、高功率为关键词并进行扩展，在DWPI、SIPOABS、VEN、USTXT、EPTXT、WOTXT、CATXT、CNABS、CNTXT相应中英文数据库中进行检索，并将所有的检索结果转库到DWPI中行合并去重，获得全球专利分析[1]。共获得同族合并的专利519项。

1.加标题

全球年申请量变化：GaN基大功率HEMT器件产生于上世纪90年代，总体的申请量呈上升趋势，尽管有的年份略有下降，2008年的下降可能与全球性的金融危机有关，对于与其相关的新能源产业在经济不景气的情况下，减小研发投入是可以理解的，在经济好转的情况后，市场需求很旺盛，研发投入增加，申请量也相应增加，但到2014年开始下降，这可能与GaN基HEMT技术趋于成熟，可改进器件性能的突破不多有关。……