王 洁，堵永国，张楷力

(国防科学技术大学 航天科学与工程学院 材料科学与工程系，长沙 410073)

银纳米线透明电极的成膜及后处理综述

王 洁，堵永国*，张楷力

(国防科学技术大学 航天科学与工程学院 材料科学与工程系，长沙 410073)

银纳米线是一种有较大应用潜力的新一代透明导电电极材料。总结了利用银纳米线制备透明电极常用的旋涂、喷涂和棒涂法3种主要液相成膜工艺，对成膜工艺对膜性能的影响以及其应用潜力进行了分析；介绍了加热、加压和引入介质3类后处理方法，阐述了不同后处理方法对银纳米线透明电极综合性能的影响。

信息功能材料；银纳米线；透明电极；成膜工艺；后处理

透明电极被广泛应用于太阳能的电池[1-3]、触摸屏[4-5]、有机发光二极管(OLED)[6-8]等电子器件中。透明导电膜层材料大多为透明导电金属氧化物如氧化铟锡(ITO)。在 90%以上的透过率(T)下，该材料方阻(Rs)小于100 Ω/sq[9-10]，透光导电综合性能优异。ITO 膜的主要缺点是综合成本较高[11]且柔性差[12]等。近年来，几种材料进入了人们视野并有望替代ITO，如金属栅格[13]、纳米金属线随机网格[14-15]、石墨烯导电薄膜[16-18]和单层碳纳米管网格[19-21]等。其中银纳米线(AgNW)随机网格具有更大的成本优势和应用前景。

AgNW 透明电极是由银纳米线随机网格构成的导电膜层，膜层中银纳米线随机网格如图1所示。

图1 AgNW随机网格透明导电膜层Fig.1 Transparent conducting film consisting of AgNW random network

目前实验室样品最佳综合性能为方阻5 Ω/sq、透过率为92%[22]，其综合性能已优于ITO导电膜层。AgNW透明电极还具有综合成本更低[23]且柔性好、可弯曲折叠[24-25]等特点。……