基于钙硼硅系LTCC生瓷带微波基板制造技术

2015-01-01谢廉忠房迅雷

现代雷达 2015年5期

关键词：工艺

谢廉忠，严伟，房迅雷

(南京电子技术研究所，南京210039)

0 引言

1982年，美国休斯公司开发了一种全新的低温共烧陶瓷(LTCC)技术，与传统的厚膜和高温共烧陶瓷(HTCC)技术相比，LTCC技术优势明显，具有优良的微波性能，可以实现真正意义上的三维微波互连基板。1988年，休斯公司首次采用LTCC技术实现了全陶瓷、低成本、有源阵列收/发(T/R)组件，并在机载相控阵雷达中获得了应用。LTCC技术成为实现机载、星载、舰载相控阵雷达收/发组件小型化、轻量化、高性能、高可靠和低成本的理想方法之一［1］。

三十多年来，欧美、日本等国不断完善和开发新的LTCC材料和工艺，LTCC材料已进入产业化、系列化和可进行材料设计阶段，在产品质量和专利技术等方面均占有领先优势。国内LTCC材料方面的研究明显落后于国外，仅叠层片式电感器和电容器生瓷带占有一定的市场份额，应用于高频组件的生瓷带目前处于基础研究阶段，形成了少量的基础配方，但尚未产业化和规模化生产，缺少系列化、拥有自主知识产权的高频LTCC 材料［2］。

本文介绍基于国产钙硼硅系LTCC生瓷带的微波基板制造技术，对基板外形尺寸以及腔体翘曲度控制等关键技术进行研究，并采用国产钙硼硅系LTCC生瓷带研制满足机载相控阵雷达技术要求的小型化收/发组件，推动LTCC材料的国产化进程［3］。