李亚

【摘 要】本文首先从VFTO产生及其产生机理等两个方面介绍了超高压GIS中的快速暂态过电压，随后对快速暂态过电压的危害进行了归纳与总结。进而提出了VFTO抑制措施，对于超高压GIS中的快速暂态过电压抑制有很好的指导意义。

【关键词】超高压;GIS;快速暂态过电压;抑制

1 快速暂态过电压及形成机理

1.1 VFTO的产生

在GIS断路器的作用是用于合闸即正常的合闸以及自动重合闸。在合闸空载线路时，就会产生VFTO中，由于在重合闸以前线路上已经存在残余电荷，因此重合闸的VFTO是合闸过电压中较严重的情况。过电压的倍数会受到残余电荷的影响。在隔离开关进行操作时所产生的VFTO以及其在GIS母线上往返折射和反射所形成的VFTO具有幅值高和上升对间极短的特点。一般情况下，其幅值为1.5 -2.0pu。最高则可以达到2.5pu;上升时间为2-20ns;基本振荡频率在5-10MHz之间，但其高频分量则可以达到100MHz。这种形式的过电压是VFTO最为主要的形式同时造成的危害也最大。

1.2 VFTO的分类

VFTO按照传播路径可以分为内部暂态和外部暂态两种类型。其中内部暂态是在GIS内部传播.于GIS内部所形成的暂态过程，其过电压作用于GIS的壳体和内部导体之间，对GIS内部绝缘造成极大威胁，主要包括断路器操作时所引起的瞬态恢复过电压隔离开关操作产生的快速暂态过电压，外部暂态是在GIS外部传播和辐射，由GIS内部暂态过电压波传递到GIS外部所引起的，主要包括了对于GIS外一次设备造成威胁的暂态过电压、使得GIS壳体电位升高的，外壳暂态过电压以及对敏感的二次设备造成损害的向外辐射的电磁波等。……