【摘 要】本文介绍了I ITO Sputter成膜过程中，主要有以下参数对成膜的参数有较大影响.在不同的制程条件下，这些参数会有不同程度的影响，都是一些大致的影响方向，对我们实际的工作有大方向的指导，但实际操作时候还得以实际数据和实验结果为准。仅供大家参考。

【关键词】温度 溅射功率 氧气流量

引言：在ITO薄膜溅镀的过程中，玻璃基板的温度、溅射的功率以及氧气流的分压等因素对我们最后所得到的ITO薄膜的特性都有很大的影响，如何控制好这些参数，得通过重复的实验和经验来判断并操作。

一. 基板温度对成膜参数的影响

在不同的基板温度下，溅射得到的ITO薄膜方阻和透光率的曲线图，从图中可以分析得到我们在所需要的薄膜特性下以什么温度来镀膜为最佳。当然这只是一个趋势，至于真正要在确定多少度下镀膜，还得通过实验来验证，因为这和镀膜的环境有很大关系。

不同温度生长的ITO薄膜中均以三氧化二铟的立方铁锰矿结构为主，因为其周围呈缺氧状态，所以提供了空穴的数量，从而提高了导电率。

较高基板温度时，二氧化锡参杂几率增大，提高薄膜导电性能。

而在低温制备的薄膜中有四氧化三锡晶体存在，低价的锡氧化物不但降低了薄膜导电能力，而且其本身的物理特性，使得薄膜的光电特性变差。低温生长的薄膜晶体具有一定的取向性。而较高温度度制备薄膜表现出多晶生长特性。

本来是衬底温度越高……