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(南开大学 电子信息与光学工程学院，天津300071)

“半导体器件物理”课程主要讲授半导体器件的基本结构、工作特性和影响器件参数的因素，理论性强。如何能使学生饶有兴趣地学习好该课，为学生下一步学习“集成电路设计”和“集成电路CAD”等课程打下坚实的理论基础，十分值得研究。本文从器件的结构与制备这些器件所使用的有关工艺、器件的工作特性用集成电路CAD 软件仿真以及器件参数与电路设计中常用参数有关的三维视角出发，探索相关的教学方法。

1 与“半导体工艺”课程的关系

“半导体器件物理”课程中，我们对所讲的每一种器件，都给出其结构和工作特性。结构不同特性也会不同，其结构与制备该器件所使用的工艺有关。在讲解器件结构时，若给出目前实现该结构常用的工艺，能使学生快速掌握器件的特性，可以提高学习兴趣。比如:对双极性晶体管，在讲解其直流特性时常常介绍两种结构，即均匀基区晶体管和缓变基区晶体管［1］。目前常用的双极型集成电路工艺，是在P 型衬底上先做N 型外延，再在N 型外延层上实现NPN 型和PNP 型两种晶体管［2］。这种平面工艺制作出来的PNP 管为横向结构，其基区均匀掺杂;NPN 管为纵向结构，其基区非均匀掺杂，即缓变基区。因此，在讲解这两种晶体管的特性之前，先简单介绍一下采用双极型平面工艺制造NPN 型和PNP型两种晶体管的结构图，在讲解均匀基区晶体管的特性时，以PNP 管为例;在讲解缓变基区晶体管的特性时，以NPN 管为例，NPN 管的基区会形成一个加速场，所以其直流放大系数更大。……