N 掺杂纳米ZnO 的制备及光催化性能
2013-10-21曹萍,白越
曹 萍,白 越
(1.长春工程学院,吉林 长春 130012;2.中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033)
1 引 言
工业发展使得地球上有限的水资源受到日益严重的污染,水质的恶化严重威胁着人类健康。去除水中的有毒、有害化学物质已成为各国面临的一项重要工作。光催化技术是处理废水的有效方法之一。
目前,国内外半导体光催化剂研究主要集中在纳米TiO2光催化性能及降解污染物上[1-8],由于纳米TiO2具有制造成本高、生产工艺复杂且设备投资大等缺点,因此,使用TiO2作为光催化剂来进行污水处理很不经济,其应用受到限制。ZnO 作为与TiO2相同禁带宽度的半导体材料[9],具有与TiO2相同甚至更高的活性,并且可以使用电化学等方法低成本大规模地工业化生产,因此,ZnO 作为一种新型的功能材料已经展现了成为新型高效光催化剂的潜质[10-14]。
Asahi[15]指出,元素的掺杂可以产生可见光光催化活性,掺杂能够在TiO2的带隙间产生一个能吸收可见光的状态。由于ZnO 与TiO2的带隙能基本相同,因此,选择合适的非金属掺杂ZnO将使其对可见光具有光催化活性。
本文研究了N 引入条件下纳米ZnO 的光催化性能。通常制备N 掺杂p-ZnO 的方法都是直接生长加后退火处理,而扩散处理的方法研究的不多。我们采用NH3等离子体后处理方法,在纳米ZnO 中引入N,并研究了其光催化性能。
2 实 验
电解液由50 mmol Zn(NO3)2·6H2O 和10 mmol 乌洛托品(C6H12N4)的水溶液构成,在该溶液中添加0.1 mol/L 的KNO3作为辅助电解液。以电阻率为0.01 Ω/cm2的p 型(111)晶向Si 衬底作为工作电极,铂片为对电极,Ag/AgCl 为参比电极。……
