高伟 葛胜升 陈素芹

（芜湖职业技术学院电子信息系，安徽 芜湖 241003）

1 引言

随着科学技术的迅猛发展，集成电路越来越多地应用在方方面面，而集成电路中最重要的组成部分就是基准电压源，可以说，高性能的基准电源直接影响着整个集成电路的性能和精度，决定整个电路性能的优劣。因此，一个高性能的基准电压源对整个电路的意义十分重大，所以很多学者正在研究它。

2 基准电压源的分类

从基准电压源设计的角度来看，设计所要解决的最关键的问题是减小温度系数[1]。但是因为温度变化对硅半导体材料影响十分大，所以为了解决温度漂移上的技术问题，我们一般会想办法去寻找一种与基准电压的温度系数极性相反但绝对数值相近的电路，把二者放到一起使用，让它们彼此之间进行温度补偿，从而使整个电路的温度系数趋于零。根据这个设计思路，基准电压源主要有以下4种：隐埋齐纳二极管基准电压源、带隙基准电压源、XFET基准电压源和E/D NMOS基准电压源[2]。

2.1 隐埋齐纳二极管基准电压源

图1 齐纳二极管基准原理

为了减小温度漂移或温度系数，以前的齐纳二极管基准电压源，一般将一个正向二极管串联到一个反向齐纳二极管上，如图1所示。因为正向硅二极管具有负温度系数(约为-2mV/°C)，而齐纳二极管如果工作在在雪崩状态时，它的击穿电压通常为7V左右，并且它具有正的温度系数(约为＋2mV/°C)，这样二者的温度系数极性相反，互相抵消。……