刘海路，文 瑾

(湖南人文科技学院化学与材料科学系，湖南娄底417000)

WO3是一种典型的过渡金属氧化物，在多种钨的氧化物中以WO3最为稳定。WO3是一种复杂的多晶型化合物，属于常见的n型半导体，因为晶体构造复杂并呈现一定的铁电性，其物理性质非常特殊。严格意义上满足化学计量比的WO3晶体构造为钙钛矿结构出现A阳离子的缺失，也就是畸变的ABO3形式钙钛矿结构。通常情况下以WO3－x(X=0～1)形式来表示其结构，不难看出WO3晶体中存在不同的氧缺位。由于晶体中存在氧缺位，并且一般情况下难以确定具体的X值，导致了 WO3－X晶体结构的复杂性［1］。影响 WO3结构的主要因素之一是温度。根据Toshikazu等的研究，发现在－40～740℃的范围内，WO3至少进行了5次晶体结构的转变。在低温条件下，WO3晶体结构为单斜及三斜晶型。伴随着温度的升高，将出现单斜晶型，正交及正方晶型。其他2个四方晶型将在900℃以上出现。不同的晶型给WO3半导体材料带来了不同的光催化性能。在不同晶型中，找到最佳的光催化性能条件一直是科研工作者的追求。

目前，纳米半导体材料作为光催化剂，用于光解水已得到了比较好的效果，TiO2由于具有较高的催化活性和稳定性，是研究较多的一种光催化材料，但是TiO2禁带宽度大(～3．2 eV)，只能被波长较短的紫外光激发，其光转化效率很低(～4%)。三氧化钨(WO3)是一种间接带隙跃迁的半导体材料，与TiO2相比较，WO3的禁带宽度较窄(2．5～3．0 eV)，相应的吸收波长为410 ～500 nm，在可见光区具有良好的光电响应性能。近年来，引起了世界上相关研究小组的关注，已被用于电致变色器件、光致变色器件、气敏传感器以及光催化等领域的研究［2－3］。……