张秋红，宋　华*，柳艳修，牟祖霖

(1. 东北石油大学化学化工学院，黑龙江 大庆 163318； 2. 大连理工大学，辽宁 大连　116023)

ZnO半导体材料因其无毒、成本低廉等优点，在光催化方面有广泛应用[1-4]。但由于ZnO为宽禁带(Eg=3.37 eV)半导体材料，在室温下具有较大的激子束缚能(60 meV)[5]，而且光生电子与空穴极易复合，使得光量子利用率较低，难以取得满意的光催化效果。基于以上原因，可对ZnO进行改性来提高ZnO的光催化性能。目前的研究大多是通过掺杂金属离子、非金属[6-8]，与其它物质复合[9]抑制光生电子与空穴的复合，从而提高光催化性能。

有机胺类化合物在多种材料的制备过程中都作为改性剂出现。吴建锋[10]采用聚丙烯酰胺调节并控制了目标晶体的形貌。李梅[11]以辛胺为造孔剂，改变了纳米ZnO的孔道分布。这些研究结果表明有机胺作为改性剂，可调节合成材料的微观结构。但其对催化剂光催化性能的影响并没有进行研究。本研究采用有机胺化合物对纳米ZnO进行了改性，以紫外光照射下的甲基橙降解反应为研究对象，考察了有机胺的加入对ZnO光催化性能的影响。

1　试验部分

1.1　试剂与仪器

乙酸锌和无水乙醇，沈阳华东试剂厂；乙醇胺、二乙醇胺、乙二胺、三乙胺、檬酸三铵和草酸，哈尔滨市化工试剂厂。均为分析纯。

自制光催化石英反应器，722-分光光度计。

1.2　催化剂的制备

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO光催化剂。试验如下：称取6.651 5 g乙酸锌及一定量的有机胺，溶于50 mL蒸馏水中，搅拌均匀。将草酸11.369 0 g，溶于50 mL无水乙醇中，将乙酸锌溶液，逐滴加到草酸的无水乙醇溶液中，使其形成均匀的溶胶。……