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一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装✴

2012-03-31何毅龙

电讯技术 2012年7期
关键词:模型

何毅龙

一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装✴

何毅龙

(中国西南电子技术研究所,成都610036)

介绍了一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装。针对Ka频段T/R组件高频率和高密度的特点,提出了一种新颖的多层组装和双面密封的立体电路结构,采用软基片、FR-4等简单成熟工艺,实现了Ka频段M-MCM的混合集成。该封装具有集成度高、散热性好和可靠性高等特点,能够应用于Ka频段二维有源相控阵T/R子阵的工程研制。

Ka频段;有源相控阵;T/R组件;立体混合集成封装

1 引言

由于毫米波系统具有精度高、抗干扰能力强、体积小、重量轻等优点[1],近年来,被广泛应用于雷达、制导、通信、识别等领域,其中,Ka频段二维有源相控阵是应用研究的热点,相关文献报道很多[2-4]。由于频率极高,天线阵元间距极小,Ka频段二维有源相控阵T/R组件在电路布局、信号隔离、信号互联、热设计、封装等方面都面临着严峻的问题[5]。因此,Ka频段T/R组件的集成封装一直是Ka频段二维有源相控阵领域应用研究的重点和难点。

在Ka频段T/R组件的集成封装方面,国内相关文献报道很少,主要是一维相控阵T/R组件的相关报道[6];国外相关文献报道很多,1993年,文献[7]报道了采用多层陶瓷技术实现多芯片集成(MCM -C),给出了6~18 GHz的实物照片和Ka频段的封装模型。该封装作为典型的平面集成封装(2D Integrated Packaging),也称纵向集成封装(Longitudinally Integrated Packaging),已被广泛应用。2005年,文献[8-9]报道了采用沉积薄膜技术实现多芯片集成(MCM-D),给出了封装模型和20 GHz产品实物照片。随着高频率高性能垂直互联技术的发展,该封装作为立体集成封装(3D Integrated Packaging),也称横向集成(Transversely Integrated Packaging),具有广泛的应用前景。……

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