科锐公司（Nasdaq：CREE）宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40 V、0．25μm碳化硅衬底氮化镓基（GaN-on-SiC）裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。

主要的市场应用包括航海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等领域。与GaAs晶体管相比，固态放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能够缩小功率放大器和电源的体积。GaN HEMT功率放大器的高效率能够有效地降低发射机的功率消耗。

在40V漏极电压和Ku波段工作频率范围内，全新GaNHEMT裸芯片产品CGHV1J006D、CGHV1J025D以及CGHV1J070D的额定输出功率分别为6W、25W和70W。

新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术，同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的Advanced Design System以及 AWR公司的 Microwave Office模拟平台相兼容，因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路，从而显著缩短设计周期并实现更高微波频率。0．25μm碳化硅衬底氮化镓HEMT工艺具有业界领先的可靠性，并能够在 40 V的漏极电压下工作。当通道温度高达225℃时，平均无故障运行时间超过一百万小时。