科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S波段雷达中的高效GaN HEMT晶体管。新型S波段GaN HEMT晶体管的额定功率为60W，频率为 3．1～3．5 GHz之间，与传统Si或 GaAsMESFET器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70%）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。

科锐 CGH35060 GaN HEMT晶体管28 V工作电压下的额定脉冲功率为 60W（当脉宽为100μs时），功率增益为12 dB，漏极效率为65%，与传统硅LDMOS器件相比高出50%。CGH35060型GaN器件已经在高功率放大器参考设计（S波段频率在3．1～3．5 GHz之间）中得到验证。与 GaAs和 Si技术相比，CGH35060还具有长脉冲、高功率性能（低于 0．6 dB）、优异的信号保真度以及非常低的功率衰减等特性。

新型GaN HEMT晶体管与科锐S波段全套产品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT器件（2．7～2．9 GHz/3．1～3．5 GHz）以及 CMPA2735075F 两级封装 GaN HEMT 单片式微波集成电路（MMIC）。