张林森，卢培浩，刘赟，宋延华，董会超

（1.郑州轻工业学院材料与化学工程学院，河南省表界面重点实验室，河南 郑州 450002；2.河南省质量工程职业学院，河南 平顶山 467000）

【化学镀】

碲化铋表面化学镀镍工艺

张林森1,*，卢培浩2，刘赟1，宋延华1，董会超1

（1.郑州轻工业学院材料与化学工程学院，河南省表界面重点实验室，河南 郑州 450002；2.河南省质量工程职业学院，河南 平顶山 467000）

采用化学镀镍的方法在半导体Bi2Te3表面实现金属化。镀液配方为：NiSO4·6H2O 25 ～ 30 g/L，NaH2PO2·H2O 20 ～ 30 g/L，CH3COONa 5 g/L，C6H5Na3O7·2H2O 5 g/L。讨论了工艺参数对镀层性能的影响，通过骤冷试验检测镍镀层与半导体之间的结合力，运用扫描电镜结合X射线能谱仪(SEM-EDXA)及X射线衍射仪(XRD)对镀层的形貌、组成和结构进行了分析。结果表明，在80 ～ 85 °C下反应10 min，所得到的镍镀层均匀致密，与半导体结合良好，其中Ni和P元素的质量分数分别为90.94%和9.06%。

碲化铋；半导体；化学镀镍；金属化；结合力

1 前言

由于化学镀镍层具有优良的耐蚀性、耐磨性和可焊性等综合物理化学性能，故化学镀镍已广泛用于航天、石油化工、电子、汽车、食品包装、模具、纺织、医疗等领域[1-5]。金属在半导体表面上的化学沉积技术是应微电子器件开发的要求而发展起来的。目前，已有在半导体硅片表面制备纳米材料[6-9]及其在超大规模集成电路和微机电系统中应用[10]的报道。Bi2Te3是一种特殊的半导体材料，温差电优质系数为1.6 × 10−3/K，是一种良好的温差材料。但是 Bi2Te3不能直接电镀锡合金，需要预先在其表面进行金属化处理。本文对半导体 Bi2Te3的化学镀镍工艺进行了研究，并对镀层进行骤冷试验，以检验镀层的结合力。……