罗 飞， 王锦鹏， 陶春虎， 李 志， 刘大博

(北京航空材料研究院，北京100095)

红外敏感光电器件具有极高的军事价值。美国的导弹和海湾战争中的一些武器的高命中率大都取决于红外敏感和热成像能力的元器件。为获得这种技术，美国一年要花费50亿美元。由于薄膜敏感材料的研究与开发将会导致敏感器件的制作进入一次飞跃，发达国家竞相在此领域投入大量人力和物力，竭力把光电材料制造技术牢握在手。

在各种电子和光电子装置中半导体薄膜的应用越来越广，Ⅳ～Ⅵ族半导体PbS，PbSe，PbTe等铅盐类薄膜在半导体上有着非常广泛的应用。这类半导体材料都是从红外敏感光电器件发展起来的［1］。在第一次世界大战期间研制出第一个光子探测器TieS3，其响应波长为l.2μm。二战以后，美、英、苏、法发展了PbS，PbSe，PbTe等响应波长更长的材料。这类材料禁带窄，具有良好的光电导效应，噪声低，对外界条件的影响反应比较灵敏，以单晶或多晶的形式被用作红外探测器的窗口、红外二维成像显示器、窄带可调激光器、霍尔器件、磁阻器件、热电和热磁器件等。随着近年来太阳能设备的广泛应用，此类材料也广泛地应用于太阳能控制器的覆料。相对于其他半导体，作为Ⅳ～Ⅵ族半导体中的重要一员，硒化铅(PbSe)由于具有小的直接带隙能(0.29eV，300 K)和较大的激子玻尔半径(23 nm)［2］，硒化铅所表现出来的性质是独特的，由于其在科技上的重要性，已成为研究的热点［3～6］。

人们采用不同技术对硒化铅薄膜的制备工艺……