陈晓婷,张晓晗,许嘉琪,赵晓宁,b

(东北师范大学 a.物理学院；b.物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学)，吉林 长春 130024)

信息存储器是微电子器件领域的重要组成部分.大数据时代，信息技术的飞速发展对存储器件的存储密度提出了更高的要求[1-3].目前，应用广泛的闪存存储技术已经难以延续摩尔定律的发展[4-6]，新型存储技术不断涌现.阻变存储器具有器件结构简单、读写速度快、运行功耗低等优点，是下一代存储技术的有力竞争者[7-10].阻变存储器在器件结构上通常为上电极/阻变层/下电极的三明治结构.阻变层处于主导地位，其材料的选取往往直接决定器件的性能.

有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3(MAPbI3)具有光电性能优异和制备工艺简便的优点，在阻变存储器[11-12]、太阳能电池[13-14]、光电探测器件[15]等领域引起了广泛关注.E.J.Yoo等人首次利用MAPbI3材料制备了具有非易失性的阻变存储器件[11].之后，研究者对MAPbI3阻变器件的工作机制、性能优化、功能拓展等方面进行了探究.Xia等人提出了利用组装二维/三维钙钛矿异质结构来优化阻变存储器的方法[16].Zhang等人探究了湿度对Au/MAPbI3/FTO器件阻变特性的影响[17].由于钙钛矿中碘离子具有较低的迁移势垒，特别是晶界处具有更高的离子扩散率，因此晶界处碘离子迁移诱导形成的碘空位导电通道被认为是MAPbI3材料的主要阻变机制[18].然而，钙钛矿晶粒的随机生长使得器件在运行过程中导电通道随机通断，导致阻变参量存在较大波动.因此，调……