APP下载

浅析化合物半导体特性及封装工艺控制

2021-12-25梁虎

科学与信息化 2021年3期

梁虎

上海交通大学研究生院 上海 200030

化合物半导体最少由两种元素所构成,当前常用的化合物半导体材料有很多,主要有磷化镓、氮化镓、磷化铟、砷化镓,这些材料是第二代半导体、第三代半导体的代表材料,不仅在具有较高的频率,还具有较高的功率,人们将其应用在了很多产业中,如:新能源产业、通信产业等。

1 化合物半导体特性

(1)砷化镓半导体特性。对于化合物半导体来说,砷化镓不仅是一种至关重要的半导体材料,还是一种可以被应用在多方面的半导体材料。当前,在所有的化合物半导体中,人们对砷化镓的研究最多,所生产的量也最大。从电子迁移率方面来说,砷化镓的电子迁移率较高,比硅的电子迁移率高出五六倍;从光电特性方面来说,砷化镓有着较好的光电特性,可以做成两种器件,一种是激发器件,另一种是发光器件;从禁带宽度方面来说,砷化镓有着较大的禁带宽度,工作温度较高;从本征载流子浓度方面来说,砷化镓有着较低的本征载流子浓度;从耐热方面来说,砷化镓有着良好的耐热性;从抗辐射性方面来说,砷化镓有着良好的抗辐射性;从磁场方面来说,砷化镓对磁场有着较高的敏感性。砷化镓是一种较为稀少的资源,由于其具有稀缺性,因此砷化镓的价格较高,比硅的价格贵十倍左右。坤化物具有毒性,能够对环境带来污染,虽然人们对砷化镓的毒性进行了研究,但仍未完整的研究出其毒性。坤材料具有易挥发性,人们在利用坤材料制备砷化镓时,应注重化学计量比。……

登录APP查看全文