黄玮，戈益坚，董烨，张蘅

(江苏信息职业技术学院，江苏无锡，214062)

0 引言

在微电子技术专业人才培养中，结合集成电路开发与测试1+X证书标准，在《半导体器件物理》课程中，利用Multisim仿真更好地去理解器件的性能与应用，提高专业课程间的关联度，使学生在后续学习中能够更好的运用相关知识分析和解决问题[2]。

1 双极型晶体管的放大原理

双极型晶体管也就是三极管，有发射极，基极和集电极三个电极，分为NPN和PNP两种类型。三极管在工作时，电子和空穴共同参与导电，影响器件工作性能，所以也称为是双极型晶体管。

放大电路是晶体管的典型应用，在放大电路中，晶体管工作在放大状态，此时发射结正偏，集电结反偏，以NPN管为例，在正偏的发射结作用下，发射区中的多数载流子电子传输到基区，由于基区浓度较低，且基区宽度较小，所以绝大多数电子都能通过基区到达集电区，并在反向集电结电压的作用下接入集电区，由集电区收集。也就是说，NPN管在放大工作时，主要是以电子传输为主，电子由发射区发射，经过基区输运，最后由集电区收集，在这个过程中，有两次电子损失，一次是在发射区中，电子与基区注入的空穴复合，损失了一部分，另一次是在基区中，电子在基区输运过程中，与基区中的空穴复合，损失了一部分。在整个载流子传输的过程中，损失的越少，最后集电区收集到的就越多，晶体管的放大能力就越强。

晶体管放大电流的能力可以用电流放大系数来描述。……