孙 亮 罗 佳 乔印虎

①(池州职业技术学院机电与汽车系 池州 247000)

②(安徽科技学院机械工程学院 凤阳 233100)

1 引言

忆阻器被认为是继电阻、电容和电感之后的第4种基本电路元件，它表征了电荷与磁通之间的本构关系，具有纳米尺寸、非线性、低功耗和非易失性等特点。1971年，美国华裔科学家Chua教授[1]从数学对称性出发提出忆阻器理论并预测了它的存在性，2008年美国惠普实验室首次发现单个纳米级TiO2忆阻器件[2]。此后，许多不同的器件被确定为忆阻器，并提出了不同的应用，特别是忆阻器用于模拟生物突触[3-5]。

局部有源被认为是复杂性的起源，与生物神经突触具有密切联系[6,7]。2014年Chua教授[8]首次提出局部有源忆阻概念并设计了第1个局部有源忆阻器模型。2017年局部有源忆阻器被实验室证实[9]。局部有源忆阻器比无源忆阻器具有更加复杂的动力学特性，具有更加广泛的应用。近年来，一些局部有源忆阻器模型已经被提出和应用。例如，2018年Jin等人[10]提出一个局部有源忆阻器并与电容、电感电路组合实现了最简单的混沌电路。同年，Chang等人[11]实现了一种双稳态双局部有源忆阻器。2019年，Weiher等人[12]进一步从材料物理实验的角度证明了局部有源忆阻器的存在性。2020年，文献[13,14]首次把局部有源忆阻器引入人工神经元模型中，并提出了局部有源忆阻神经元模型。尽管一些局部有源忆阻器已经被报道，但是局部有源忆阻器因为数学模型复杂、有源区间小等缺点很难在人工神经网络中应用。……