黄祥林，李富华，宋爱武

（苏州大学电子信息学院，江苏苏州215000）

1 引言

基准电压源一直都是模拟集成电路中不可或缺的电路单元之一，一个理想的基准电压源应该具有良好的温度系数、高电源抑制比、低功耗以及低输出噪声，具体指标的取舍由具体应用环境而定，例如，线性稳压器（Low Dropout Regulator，LDO）芯片需要基准电压有较高的电源抑制比，基准电压的电源抑制比将直接影响LDO输出电压的电源抑制比；在模数转换芯片中，一般要求带隙基准输出的噪声尽可能低；在某些低功耗的集成电路中，可能还会要求基准电压具有低压启动的功能。

在便携式电子产品普及的今天，人们对设备的续航能力提出了越来越高的要求，基准电压源是每个集成芯片中几乎必不可少的电路单元之一，因此，基准电压电路低功耗的实现成为了一直以来研究的热点。近些年，一些学者也对低功耗的带隙基准进行了大量的研究。文献[1]使用工作在亚阈值区的MOS管代替三极管，结构简单，但电路整体功耗很高，电源抑制比很低，不能满足设计要求，文献[2]使用工作在线性电阻区的MOS管代替电阻产生正温度系数（Proportional to Absolute Temperature，PTAT）电流，实现了全MOS结构的带隙基准，但是该结构电源抑制比较低，而且用MOS管代替电阻，阻值不容易控制，温度系数也不理想；文献[3]也是全MOS结构的带隙基准，其中的电路结构复杂，而且需要严格设计MOS管的宽长比来调出一个与温度无关的电压；文献[4]提出的基准电压结构简单，温度系数良好，但是需要比较高的电压才能建立起稳定的输出，电源效率低，电源抑制比也有待提高。……