李胜利，马占锋，高健飞，王春水，黄 立

（武汉高芯科技有限公司，武汉430000）

1 引言

目前，MEMS芯片封装技术可分为晶圆级、芯片级和系统级封装等[1-3]。芯片级封装对单颗芯片进行操作，成本高，效率低。系统级封装是在同一基板上集成不同功能的芯片，因封测过程中一般用到多层结构的BT材质基板，加上各类芯片的组装及最终成品的测试，其成本仍然较高。晶圆级封装针对整个圆片进行操作，是目前器件封装领域最前沿的技术，具有效率高、成本低的特点。

晶圆级封装中，键合环的金属化一般通过电镀完成[4-5]：首先溅射钛、铜作为种子，电镀完成后再用湿法刻蚀去除种子层。铜种子一般采用过硫酸铵或酸性双氧水体系去除[6]。但这两种药液对钛几乎无任何作用，钛种子层还需要单独的药液进行刻蚀，这不但增加了工艺的复杂性，影响生产效率，还增加了生产成本。因此，有必要探究新的种子层刻蚀工艺。

有研究表明[7-8]，双氧水在碱性条件下电离出的过氧根离子可以和钛发生反应。另有研究表明[9]，I号液（氨水、双氧水和水的混合物）中的双氧水可以将铜氧化为氢氧化铜，而其中的氨水又可以和氢氧化铜发生螯合作用，生成可溶的铜氨络合物。综上，I号液特殊的物理和化学性质为实现铜和钛的同时刻蚀提供了可能。

2 实验设计

2.1 盖帽晶圆制备

盖帽晶圆单个盖帽结构设计如图1(g)所示，包括硅衬底，盖帽腔，键合环，钛、铜种子层和焊料层。盖帽腔的深度是100 μm；钛、铜种子层的厚度分别是20 nm和300 nm，其中钛起黏附作用，铜主要用于调节电镀阻抗，使电镀更均匀；……