国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心 张雄娥

薄膜晶体管的专利研究已然成为全球研究热点，本文针对薄膜晶体管，开展关于薄膜晶体管的全球专利技术申请相关情况分析，主要涉及专利申请量布局、申请人统计分析以及专利申请的地区分布。

随着显示器件的不断发展，薄膜晶体管(TFT)作为显示器元件的阵列基板开关元件起到阵列驱动的作用，并且在平板显示技术的应用中尤为突出，薄膜晶体管已然成为微电子技术特别是显示技术领域的核心技术之一，起到核心作用的薄膜晶体管的研究俨然已成为全球专利技术研究热点。为实现目前显示领域的小型化、高性能以及低制备成本等市场需求以及其他各种应用需求，薄膜晶体管器件技术的研究不仅包括薄膜晶体管器件结构的研究，还进一步包括在薄膜晶体管的有源层的相关研究以及对薄膜晶体管器件的形成工艺的研究。薄膜晶体管的全球专利申请情况可以反映出世界薄膜晶体管创新技术的研究趋势，更能反映出世界各国在薄膜晶体管创新技术的世界竞争力。

1 TFT简介

1.1 TFT的工作原理

薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）作为一种绝缘栅型场效应晶体管，是由栅电极、源电极和漏电极所共同构成的三端子控制元件，主要包括基板、有源区沟道层、栅极绝缘层、栅电极和源漏电极等几个重要的组成部分，其中有源区沟道层的性能与制作工艺对薄膜晶体管的性能有至关重要的决定性影响。……