基于TRIZ的RAM存储器掉电保护电路的优化设计*
2021-09-26刘修泉李艳红
机电工程技术 2021年8期
刘修泉,杨 伟,李艳红
(佛山职业技术学院机电工程学院, 广东佛山 528137)
0 引言
数控系统在实际加工中有着广泛的应用。加工数据等信息一般采用RAM存储器,在系统掉电时RAM存储器采用掉电保护电路,一般通过备用电池或者基于控制器专用保护电路。其中,基于备用电池保护电路较为简单,应用较多[1-2]。
近年来,TRIZ创新方法越来越多应用于科学研究与工程实践领域[3-6]。特别是在机电一体化领域应用最为广泛,在电子电气领域应用鲜有报道。本文主要利用TRIZ理论和工具解决数控系统RAM存储器掉电保护电路存在的问题。
1 RAM存储器掉电保护电路工作原理
图1 所示为数控系统用户程序RAM 存储器掉电保护系统电路原理。当VCC为典型值5 V时,稳压管D1为3.6 V,该基准电压作为比较器LM393同相输入端;VCC、R2、R3组成电源电压采样信号,通过调节R3,从而调节比较器LM393反相输入端电压信号,使得反相端电压大于3.6 V时,LM393输出为0;当来自CPU的控制信号是高电平,逻辑运算输出为高电平,禁止存储器写入;当来自CPU 的控制信号是低电平时,逻辑运算输出为低电平,容许存储器写入。

图1 数控系统用户程序RAM存储器掉电保护系统电路原理
当系统掉电时,比较器LM393 同相输入端电压信号大于反相端电压,LM393输出为1,不管CPU的控制信号是高电平还是低电平,逻辑运算输出均为高电平,禁止存储器写入,从而达到存储器掉电保护。
2 基于TRIZ理论的工程问题
2.1 问题描述
在数控机床实际使用过程中,发现数控机床掉电后重启,有时发现加工有问题,经检查,用户程序被修改,导致加工问题。……
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